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包装清单 10件 输出配置 积极的 输出类型 可调节的 调节器数量 1 电压 - 输入（最大） 40伏 电压 - 输出（最小/固定） 1.2伏 电压 - 输出（最大） 37伏 电压降（最大） - 电流 - 输出 100毫安 静态电流 (Iq) 5 毫安 电源抑制比 80分贝～65分贝（120赫兹） 控制功能 - 保护功能 过流、过温、短路 工作温度 -40℃～125℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽）...
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包装清单 5件 放大器类型 场效应晶体管 电路数量 1 输出类型 - 转换速率 12伏/微秒 增益带宽积 5兆赫 电流 - 输入偏置 30 帕 电压 - 输入失调 3毫伏 供电 5毫安 电压 - 电源跨度（最小值） 30 伏 电压 - 电源跨度（最大） 30 伏 工作温度 0℃～70℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC
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包装清单 5件 类型 交流直流离线切换器 拓扑 飞回来 内部开关 不 输出数量 1 电压 - 电源（最小） 10.3伏 电压 - 电源（最大） 23伏 电压 - 输出 - 电流 - 输出/通道 - 频率 - 调光 - 应用 灯光 工作温度 -40℃～125℃（温度范围） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC
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包装清单 5件 驱动配置 半桥 通道类型 独立的 司机人数 2 闸门类型 N 沟道 MOSFET 电压 - 电源 8V ～ 14V 逻辑电压 - VIL、VIH 0.8V、2.2V 电流 - 峰值输出（源、汇） 1A、1A 输入类型 非反相 高压侧电压 - 最大值（自举） 118 伏 上升/下降时间（典型值） 15纳秒，15纳秒 工作温度 -40℃～125℃（温度范围） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装...
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包装清单 10件 功能 降压 输出配置 积极的 拓扑 巴克 输出类型 可调节的 输出数量 1 电压 - 输入（最小值） 4.75伏 电压 - 输入（最大） 27伏 电压 - 输出（最小/固定） 0.92伏 电压 - 输出（最大） 21伏 电流 - 输出 3A 频率 - 切换 365千赫 同步整流器 不 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 10A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 20 毫欧 @ 5.6A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 92 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 10件 功能 降压 输出配置 积极的 拓扑 巴克 输出类型 可调节的 输出数量 1 电压 - 输入（最小值） 6.5伏 电压 - 输入（最大） 32伏 电压 - 输出（最小/固定） 1.23伏 电压 - 输出（最大） 21伏 电流 - 输出 2A 频率 - 切换 330千赫 同步整流器 是的 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154...
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包装清单 10件 拓扑 巴克 输出类型 可调节的 输出数量 1 电压 - 输入（最小值） 4.75伏 电压 - 输入（最大） 25伏 电压 - 输出（最小/固定） 1.22伏 电压 - 输出（最大） 21伏 电流 - 输出 2A 频率 - 切换 380千赫 同步整流器 是的 工作温度 -40℃～125℃（温度范围） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC...
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包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 2 个 P 通道（双） 场效应晶体管特性 逻辑电平门 漏源电压 (Vdss) 20伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 9A Rds On（最大值）@ Id、Vgs 18毫欧@9A，4.5V Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5V 时为 63nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2940pF @...
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包装清单 10件 位数 12 D/A 转换器数量 2 建立时间 4.5µs（典型值） 输出类型 电压 - 缓冲 差分输出 不 数据接口 串行外设接口 引用类型 内部的 电压 - 电源，模拟 2.7V～5.5V 电压 - 电源，数字 2.7V～5.5V 积分非线性 (INL)/微分非线性 (LSB) ±4, ±0.25 建筑学 串式 DAC 工作温度 -40℃～125℃ 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC 安装类型...
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包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 N 和 P 沟道 场效应晶体管特性 - 漏源电压 (Vdss) 30伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C - Rds On（最大值）@ Id、Vgs 29毫欧姆@5.8A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10V 时为 33nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 650pF @...
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包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 N 和 P 沟道 场效应晶体管特性 逻辑电平门 漏源电压 (Vdss) 20伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6.6安，5.3安 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 6A、4.5V 时为 29 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 700 毫伏 @ 250 微安 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5V 时为 27nC 输入电容 (Ciss)...
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包装清单 10件 功能 升压、降压 输出配置 正面或负面 拓扑 降压、升压 输出类型 可调节的 输出数量 1 电压 - 输入（最小值） 3伏 电压 - 输入（最大） 40伏 电压 - 输出（最小/固定） 1.25伏 电压 - 输出（最大） 38伏 电流 - 输出 1.5A（开关） 频率 - 切换 33千赫 同步整流器 不 工作温度 0℃～70℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154...
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包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 2 个 P 通道（双） 场效应晶体管特性 逻辑电平门 漏源电压 (Vdss) 30伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4.9A Rds On（最大值）@ Id、Vgs 58毫欧姆@4.9A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10V 时为 34nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 710pF @...
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