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包装清单 10件 内存类型 非挥发性 内存格式 电可擦除只读存储器 技术 电可擦除只读存储器 内存大小 16K位 记忆组织 2K x 8 内存接口 串行外设接口 时钟频率 10兆赫 写入周期时间 - 字、页 5毫秒 电压 - 电源 2.5V ～ 5.5V 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC
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包装清单 10件 内存类型 非挥发性 内存格式 闪光 技术 闪存 - NOR 内存大小 512千位 记忆组织 64K x 8 内存接口 串行外设接口 时钟频率 50兆赫 写入周期时间 - 字、页 15毫秒，5毫秒 电压 - 电源 2.7V~3.6V 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-硫酸盐
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包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 2 个 P 通道（双） 场效应晶体管特性 逻辑电平门 漏源电压 (Vdss) 60伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2.9A Rds On（最大值）@ Id、Vgs 105毫欧姆@2.9A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10V 时为 23nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1020pF@30V 功率...
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包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 2 个 N 通道（双） 场效应晶体管特性 逻辑电平门 漏源电压 (Vdss) 60伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3.5A Rds On（最大值）@ Id、Vgs 100 毫欧 @ 3.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5V 时为 13nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @...
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包装清单 10件 放大器类型 一般用途 电路数量 2 输出类型 轨对轨 转换速率 0.1伏/微秒 增益带宽积 152 千赫 电流 - 输入偏置 2纳安 电压 - 输入失调 1.5毫伏 供电 15µA（x2 通道） 电流 - 输出/通道 16 毫安 电压 - 电源跨度（最小值） 2.7 伏 电压 - 电源跨度（最大） 5 伏 工作温度 -40℃～85℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体...
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包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 N 和 P 沟道 场效应晶体管特性 逻辑电平门 漏源电压 (Vdss) 30伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6.4A、4.5A Rds On（最大值）@ Id、Vgs 26 毫欧 @ 6.4A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10V 时为 12nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @...
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包装清单 10件 放大器类型 一般用途 电路数量 2 输出类型 轨对轨 转换速率 1伏/微秒 增益带宽积 1.3兆赫 电流 - 输入偏置 18纳安 电压 - 输入失调 1 毫伏 供电 240µA（x2 通道） 电流 - 输出/通道 28 毫安 电压 - 电源跨度（最小值） 2.3 伏 电压 - 电源跨度（最大） 七 伏 工作温度 -40℃～125℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体...
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包装清单 件 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 13A（塔） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 9毫欧@13A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 100 纳克 @ 10 伏 电压 (最大值) ±25V 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 15...
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包装清单 10件 放大器类型 一般用途 电路数量 2 输出类型 轨对轨 转换速率 1伏/微秒 增益带宽积 1兆赫 电流 - 输入偏置 15纳安 电压 - 输入失调 1.7 毫伏 供电 210µA（x2 通道） 电流 - 输出/通道 40 毫安 电压 - 电源跨度（最小值） 2.7 伏 电压 - 电源跨度（最大） 5.5 伏 工作温度 -40℃～125℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体...
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