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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 15A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏、20伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 7毫欧@15A，20V Vgs(th)（最大值）@Id 3.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 61 纳克 电压 (最大值) ±25V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 20件 核心处理器 PIC 核心尺寸 8 位 速度 32兆赫 连接 I2C、LINbus、SPI、UART/USART 外设 欠压检测/复位、POR、PWM、WDT 输入/输出数量 6 程序存储器大小 3.5KB（2K x 14） 程序存储器类型 闪光 EEPROM 大小 256 x 8 RAM 大小 128 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 1.8V～5.5V 数据转换器 A/D 4x10b；D/A 1x5b 振荡器类型 内部的 工作温度 -40℃～85℃（环境温度）...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 32 毫欧 @ 8A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 16 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 100 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 15.5A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 6.4毫欧姆@15.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 95 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 20件 核心处理器 PIC 核心尺寸 8 位 速度 20兆赫 连接 - 外设 上电复位，看门狗定时器 输入/输出数量 5 程序存储器大小 1.75KB（1K x 14） 程序存储器类型 闪光 EEPROM 大小 128 x 8 RAM 大小 64 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 2V～5.5V 数据转换器 模数转换器 4x10b 振荡器类型 内部的 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型...
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包装清单 20件 核心处理器 PIC 核心尺寸 8 位 速度 20兆赫 连接 - 外设 上电复位，看门狗定时器 输入/输出数量 5 程序存储器大小 1.75KB（1K x 14） 程序存储器类型 闪光 EEPROM 大小 128 x 8 RAM 大小 64 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 2V～5.5V 数据转换器 - 振荡器类型 内部的 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 通孔...
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包装清单 5件 放大器类型 一般用途 电路数量 2 输出类型 轨对轨 转换速率 0.92伏/微秒 增益带宽积 1兆赫 电流 - 输入偏置 4 帕 电压 - 输入失调 1 毫伏 供电 45µA（x2 通道） 电流 - 输出/通道 30 毫安 电压 - 电源跨度（最小值） 2.7 伏 电压 - 电源跨度（最大） 5.5 伏 工作温度 -40℃～125℃ 安装类型 表面贴装...
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包装清单 20件 核心处理器 PIC 核心尺寸 8 位 速度 20兆赫 连接 - 外设 欠压检测/复位、POR、PWM、WDT 输入/输出数量 5 程序存储器大小 1.75KB（1K x 14） 程序存储器类型 闪光 EEPROM 大小 - RAM 大小 64 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 2V～5.5V 数据转换器 模数转换器 4x10b 振荡器类型 内部的 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 通孔 供应商器件封装...
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包装清单 5件 电机类型 - 交流、直流 有刷直流 功能 驱动器 - 完全集成，控制和功率级 输出配置 半桥 (2) 界面 模拟 技术 半导体场效应晶体管 步骤解析 - 应用 一般用途 电流 - 输出 3.5A 电压 - 电源 8V ～ 40V 电压 - 负载 8V ～ 40V 工作温度 -40℃～150℃（高温） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90...
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