全部
Filter
2691 results
20
- 10
- 15
- 20
- 25
- 30
- 50
日期,从新到旧
- 特色
- 畅销
- 按字母顺序排序,A-Z
- 按字母顺序排序,Z-A
- 价格,从低到高
- 价格,从高到低
- 日期,从旧到新
- 日期,从新到旧
Sort
Sort by:
- 特色
- 畅销
- 按字母顺序排序,A-Z
- 按字母顺序排序,Z-A
- 价格,从低到高
- 价格,从高到低
- 日期,从旧到新
- 日期,从新到旧
-
-
包装清单 20件 内存类型 非挥发性 内存格式 电可擦除只读存储器 技术 电可擦除只读存储器 内存大小 16K位 记忆组织 2K x 8 内存接口 I2C 时钟频率 400千赫 写入周期时间 - 字、页 5毫秒 访问时间 900 纳秒 电压 - 电源 2.5V ~ 5.5V 工作温度 -40℃~85℃(环境温度) 安装类型 通孔 封装/箱体 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 供应商器件封装 8-邻苯二甲酸二异丙酯
- $21.94 USD
$0.00 USD- $21.94 USD
- Unit price
- / per
-
-
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 11.5A(电流值) 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 4.5伏、10伏 Rds On(最大值)@ Id、Vgs 10 毫欧 @ 11.5A,10V Vgs(th)(最大值)@Id 3伏@1毫安 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 30 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss)...
- $4.42 USD
$0.00 USD- $4.42 USD
- Unit price
- / per
-
-
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 21A(塔) 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 4.5伏、10伏 Rds On(最大值)@ Id、Vgs 3.7毫欧姆@20A,10V Vgs(th)(最大值)@Id 2.35V @ 100µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时 45 纳克 电压 (最大值) ±20V ±20V 输入电容 (Ciss)...
- $2.61 USD
$0.00 USD- $2.61 USD
- Unit price
- / per
-
-
包装清单 10件 内存类型 非挥发性 内存格式 电可擦除只读存储器 技术 电可擦除只读存储器 内存大小 8千位 记忆组织 256 x 8 x 4 内存接口 I2C 时钟频率 400千赫 写入周期时间 - 字、页 5毫秒 访问时间 900 纳秒 电压 - 电源 2.5V ~ 5.5V 工作温度 -40℃~85℃(环境温度) 安装类型 通孔 封装/箱体 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 供应商器件封装 8-邻苯二甲酸二异丙酯
- $5.13 USD
$0.00 USD- $5.13 USD
- Unit price
- / per
-
-
包装清单 5件 驱动配置 半桥 通道类型 独立的 司机人数 2 闸门类型 IGBT、N 沟道 MOSFET 电压 - 电源 10V ~ 20V 逻辑电压 - VIL、VIH 0.8伏、3伏 电流 - 峰值输出(源、汇) 210毫安,360毫安 输入类型 非反相 高压侧电压 - 最大值(自举) 600 伏 上升/下降时间(典型值) 100纳秒,50纳秒 工作温度 -40℃~150℃(高温) 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC(0.154 英寸,3.90 毫米宽) 供应商器件封装...
- $3.24 USD
$0.00 USD- $3.24 USD
- Unit price
- / per
-
-
包装清单 10件 模式 临界传导 (CRM) 频率 - 切换 250kHz~350kHz 当前 - 初创 120 微安 电压 - 电源 13V ~ 20V 工作温度 -40℃~125℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC(0.154 英寸,3.90 毫米宽) 供应商器件封装 8-SOIC
- $3.76 USD
$0.00 USD- $3.76 USD
- Unit price
- / per
-
包装清单 10件 内存类型 非挥发性 内存格式 电可擦除只读存储器 技术 电可擦除只读存储器 内存大小 2K位 记忆组织 256 x 8 内存接口 I2C 时钟频率 400千赫 写入周期时间 - 字、页 5毫秒 访问时间 900 纳秒 电压 - 电源 2.5V ~ 5.5V 工作温度 -40℃~85℃(环境温度) 安装类型 通孔 封装/箱体 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 供应商器件封装 8-邻苯二甲酸二异丙酯
- $5.80 USD
$0.00 USD- $5.80 USD
- Unit price
- / per
-
-
-
- $3.49 USD
$0.00 USD- $3.49 USD
- Unit price
- / per
-
包装清单 10件 内存类型 非挥发性 内存格式 电可擦除只读存储器 技术 电可擦除只读存储器 内存大小 1K位 记忆组织 128 x 8 内存接口 I2C 时钟频率 400千赫 写入周期时间 - 字、页 5毫秒 访问时间 3.5 微秒 电压 - 电源 2.5V ~ 5.5V 工作温度 -40℃~85℃(环境温度) 安装类型 通孔 封装/箱体 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 供应商器件封装 8-邻苯二甲酸二异丙酯
- $7.32 USD
$0.00 USD- $7.32 USD
- Unit price
- / per
-
包装清单 10件 输出隔离 孤立 内部开关 不 击穿电压 - 拓扑 飞回来 电压 - 启动 12 伏 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 8V ~ 20V 占空比 75% 频率 - 切换 65千赫 功率(瓦) 48 瓦 故障保护 过载、过压 控制功能 - 工作温度 -25℃~125℃(环境温度) 封装/箱体 8-SOIC(0.154 英寸,3.90 毫米宽) 供应商器件封装 8-SOIC 安装类型...
- $4.25 USD
$0.00 USD- $4.25 USD
- Unit price
- / per



