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包装清单 10件 内存类型 非挥发性 内存格式 电可擦除只读存储器 技术 电可擦除只读存储器 内存大小 4千位 记忆组织 512 x 8 内存接口 I2C 时钟频率 400千赫 写入周期时间 - 字、页 5毫秒 访问时间 900 纳秒 电压 - 电源 1.7V～5.5V 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC
- $2.34 USD
$0.00 USD- $2.34 USD
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包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 N 和 P 沟道 场效应晶体管特性 逻辑电平门 漏源电压 (Vdss) 30伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8.6安，7.3安 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 17 毫欧 @ 8.6A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10V 时为 24 纳克 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $2.44 USD
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包装清单 10件 内存类型 非挥发性 内存格式 电可擦除只读存储器 技术 电可擦除只读存储器 内存大小 16K位 记忆组织 2K x 8 内存接口 串行外设接口 时钟频率 20兆赫 写入周期时间 - 字、页 5毫秒 电压 - 电源 2.7V～5.5V 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC
- $6.36 USD
$0.00 USD- $6.36 USD
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包装清单 10件 内存类型 非挥发性 内存格式 电可擦除只读存储器 技术 电可擦除只读存储器 内存大小 16K位 记忆组织 2K x 8、1K x 16 内存接口 3 线串行 时钟频率 2兆赫 写入周期时间 - 字、页 10毫秒 电压 - 电源 2.7V～5.5V 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC
- $3.62 USD
$0.00 USD- $3.62 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 10A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 6伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 14毫欧@10A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 70 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $2.44 USD
$0.00 USD- $2.44 USD
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包装清单 5件 驱动配置 低侧 通道类型 单身的 司机人数 1 闸门类型 N 沟道、P 沟道 MOSFET 电压 - 电源 4.5V～16V 逻辑电压 - VIL、VIH 0.8V、2.4V 电流 - 峰值输出（源、吸收） 4A、4A 输入类型 非反相 上升/下降时间（典型值） 7.5纳秒，10纳秒 工作温度 -40℃～125℃（温度范围） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC
- $11.08 USD
$0.00 USD- $11.08 USD
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包装清单 10件 内存类型 非挥发性 内存格式 电可擦除只读存储器 技术 电可擦除只读存储器 内存大小 1K位 记忆组织 128 x 8, 64 x 16 内存接口 3 线串行 时钟频率 2兆赫 写入周期时间 - 字、页 5毫秒 电压 - 电源 1.8V～5.5V 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC
- $2.44 USD
$0.00 USD- $2.44 USD
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