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包装清单 10件 功能 降压 输出配置 积极的 拓扑 巴克 输出类型 可调节的 输出数量 1 电压 - 输入（最小值） 4.5伏 电压 - 输入（最大） 16伏 电压 - 输出（最小/固定） 0.8伏 电压 - 输出（最大） 16伏 电流 - 输出 3A 频率 - 切换 500千赫 同步整流器 是的 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154...
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包装清单 10件 类型 收发器 协议 RS422，RS485 驱动器/接收器数量 1/1 双面打印 一半 接收器迟滞 80 毫伏 数据速率 250kbps 电压 - 电源 3V～3.6V 工作温度 -40℃～125℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC
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包装清单 10件 功能 降压 输出配置 积极的 拓扑 巴克 输出类型 可调节的 输出数量 1 电压 - 输入（最小值） 4.5伏 电压 - 输入（最大） 16伏 电压 - 输出（最小/固定） 0.8伏 电压 - 输出（最大） 16伏 电流 - 输出 5A 频率 - 切换 500千赫 同步整流器 不 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154...
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包装清单 5件 技术 磁耦合 类型 一般用途 隔离电源 不 通道数 2 输入 - 1 侧/2 侧 1/1 通道类型 单向 电压 - 隔离 2500Vrms 共模瞬变抗扰度（最小值） 25千伏/微秒 数据速率 10Mbps 传播延迟 tpLH / tpHL （最大值） 50纳秒，50纳秒 脉冲宽度失真（最大） 3纳秒 上升/下降时间（典型值） 2.5纳秒，2.5纳秒 电压 - 电源 2.7V～5.5V 工作温度 -40℃～105℃ 安装类型 表面贴装...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 16.5A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 6.8毫欧姆@16.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 77 纳克 电压 (最大值) ±12V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 12 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 11A（塔） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 1.8V、4.5V Rds On（最大值）@ Id、Vgs 16毫欧@11A，4.5V Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时 47 纳克 电压 (最大值) ±8V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 类型 简单复位/上电复位 监测电压数量 1 电压 - 阈值 2.63伏 输出 推拉式，图腾柱 重置 低电平有效 重置超时 最低 160 毫秒 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6A（Ta） Rds On（最大值）@ Id、Vgs 50毫欧@6A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 11 纳克 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 520 pF @...
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