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包装清单 10件 晶体管类型 NPN Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 3 伏 @ 3 安，12 安 电流 - 集电极截止（最大值） - 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 8 @ 5A，5V 频率 - 过渡 4兆赫 工作温度 150°C（高温） 安装类型 通孔 封装/箱体 TO-220-3 全封装 供应商器件封装 TO-220F-3
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 800 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 9.5A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 550 毫欧 @ 4.8A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 450µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 19 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 900 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 1.4 欧姆 @ 4A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 58 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 17A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 190 毫欧 @ 8A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 46 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 10件 二极管配置 1 对共阴极 技术 肖特基 电压 - 直流反向 (Vr)（最大值） 200 伏 电流 - 平均整流电流 (Io) （每个二极管） - 电压 - 正向 (Vf) (最大值) @ If 15A 时 900 毫伏 速度 快速恢复 =< 500ns, > 200mA (Io) 电流 - 反向漏电流@Vr 1 毫安 @ 200...
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包装清单 10件 双向可控硅类型 标准 电压 - 关闭状态 600 伏 电流 - 导通状态 (It (RMS)) (最大值) 十六 电压 - 门极触发 (Vgt)（最大值） 1.3 伏 电流 - 非重复浪涌 50, 60Hz (Itsm) 160A、168A 电流 - 门极触发 (Igt)（最大值） 50 毫安 电流 - 保持 (Ih)（最大值） 50 毫安 配置 单身的 工作温度...
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包装清单 10件 双向可控硅类型 标准 电压 - 关闭状态 600 伏 电流 - 导通状态 (It (RMS)) (最大值) 十六 电压 - 门极触发 (Vgt)（最大值） 1.3 伏 电流 - 非重复浪涌 50, 60Hz (Itsm) 160A、168A 电流 - 门极触发 (Igt)（最大值） 50 毫安 电流 - 保持 (Ih)（最大值） 50 毫安 配置 单身的 工作温度...
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包装清单 10件 电机类型 - 步进 双极 电机类型 - 交流、直流 - 功能 驱动器 - 完全集成，控制和功率级 输出配置 半桥 (4) 界面 串行 技术 半导体场效应晶体管 步骤解析 1 〜 1/64 应用 一般用途 电流 - 输出 1.5A 电压 - 电源 4.5V ～ 5.5V 电压 - 负载 15V ～ 50V 工作温度...
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包装清单 10件 晶体管类型 即插即用 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 六 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 100 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 1.5V @ 600mA，6A 电流 - 集电极截止（最大值） 700微安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 15 @ 3A，4V 功率 - 最大 65 瓦 频率 - 过渡 - 工作温度...
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包装清单 10件 晶体管类型 NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 3 一 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 100 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 1.2V @ 375mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值） 300微安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 10 @ 3A，4V 功率 - 最大 2 瓦 频率 - 过渡 -...
- $3.15 USD
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包装清单 10件 电机类型 - 步进 双极 电机类型 - 交流、直流 - 功能 驱动器 - 完全集成，控制和功率级 输出配置 半桥 (4) 界面 逻辑 技术 半导体场效应晶体管 步骤解析 1、1/2、1/4、1/16 应用 一般用途 电流 - 输出 2.5A 电压 - 电源 3V ～ 5.5V 电压 - 负载 8V ～ 35V 工作温度 -20℃～150℃（高温） 安装类型...
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包装清单 10件 输出配置 积极的 输出类型 可调节的 调节器数量 1 电压 - 输入（最大） 40伏 电压 - 输出（最小/固定） 1.2伏 电压 - 输出（最大） 37伏 电压降（最大） - 电流 - 输出 1.5A 电流 - 静态 (Iq) 10 毫安 电源抑制比 80分贝～65分贝（120赫兹） 控制功能 - 保护功能 过流、过温、短路 工作温度 0℃～125℃ 安装类型 通孔 封装/箱体 TO-220-3...
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包装清单 10件 输出配置 积极的 输出类型 固定的 调节器数量 1 电压 - 输入（最大） 40伏 电压 - 输出（最小/固定） 24伏 电压 - 输出（最大） - 电压降（最大） 2V@1A（典型值） 电流 - 输出 1.5A 电流 - 静态 (Iq) 8 毫安 电源抑制比 50分贝（120赫兹） 控制功能 - 保护功能 过热、短路 工作温度 0℃～125℃ 安装类型 通孔 封装/箱体 TO-220-3...
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包装清单 10件 输出配置 积极的 输出类型 固定的 调节器数量 1 电压 - 输入（最大） 35伏 电压 - 输出（最小/固定） 10伏 电压 - 输出（最大） - 电压降（最大） 2V@1A（典型值） 电流 - 输出 1.5A 电流 - 静态 (Iq) 8 毫安 电源抑制比 55分贝（120赫兹） 控制功能 - 保护功能 过热、短路 工作温度 0℃～125℃ 安装类型 通孔 封装/箱体 TO-220-3...
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