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R5为增益调整电阻,阻值可取4.7k-100k(贴片电阻旁边预留了插件焊盘,如果没有贴片电阻或者焊接技术不好,也可以使用插件电阻。),阻值越大,增益越高。基本参数:工作电压:DC 3v-6v板子尺寸:16mm*15mm默认增益:40db(也可以根据需要调整增益,只需改变R5的阻值即可)
- $2.42 USD
$0.00 USD- $2.42 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 30A(热电阻) 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 10伏 Rds On(最大值)@ Id、Vgs 26 毫欧 @ 15A,10V Vgs(th)(最大值)@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 110 纳克 电压 (最大值) ±25V...
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$0.00 USD- $4.59 USD
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描述: TSL2561 光度传感器分线器是一款精密的光传感器,在大部分可见光谱范围内具有平坦响应。与简单的传感器不同,TSL2561 可测量红外光和可见光,以更好地模拟人眼的响应。由于 TSL2561 是一款积分传感器(它会在预定的时间内吸收光线),因此它能够通过改变积分时间来测量少量和大量的光线。 TSL2561 能够直接进行 I2C 通信,并且能够轻松传导 0.1 - 40k+ 勒克斯的特定光照范围。此外,TSL12561 包含两个积分模数转换器 (ADC),可同时积分两个光电二极管的电流。每个分线需要 3V 的电源电压和最大 0.6mA 的低电源电流。
- $3.92 USD
$0.00 USD- $3.92 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压 (Vdss) 250 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 15.6A(温度系数) 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 10伏 Rds On(最大值)@ Id、Vgs 270 毫欧 @ 7.8A,10V Vgs(th)(最大值)@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 53.5 纳克 电压 (最大值) ±30V...
- $3.07 USD
$0.00 USD- $3.07 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压 (Vdss) 500 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 13A(铊) 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 10伏 Rds On(最大值)@ Id、Vgs 6.5A、10V 时为 480 毫欧 Vgs(th)(最大值)@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 56 纳克 电压 (最大值) ±30V...
- $3.57 USD
$0.00 USD- $3.57 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压 (Vdss) 500 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 9A(铊) 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 10伏 Rds On(最大值)@ Id、Vgs 4.5A、10V 时为 800 毫欧 Vgs(th)(最大值)@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 35 纳克 电压 (最大值) ±30V...
- $3.07 USD
$0.00 USD- $3.07 USD
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8个模拟输入端口:A0~A7 14 个数字输入/输出端口:TX、RX、D2~D13 6 个 PWM 端口:D3、D5、D6、D9、D10、D11 1对TTL电平串行收发端口RX/TX使用 Atmel Atmega328P-AU MCU其中安装了引导加载程序 支持USB下载和供电支持外接5V~12V直流电源支持9V电池供电支持ISP下载
- $7.30 USD
$0.00 USD- $7.30 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 12A(热电偶) 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 10伏 Rds On(最大值)@ Id、Vgs 650 毫欧 @ 6A,10V Vgs(th)(最大值)@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 63 纳克 电压 (最大值) ±30V...
- $3.83 USD
$0.00 USD- $3.83 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 9.5A(温度系数) 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 10伏 Rds On(最大值)@ Id、Vgs 4.75A、10V 时为 730 毫欧 Vgs(th)(最大值)@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 57 纳克 电压 (最大值) ±30V...
- $3.15 USD
$0.00 USD- $3.15 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压 (Vdss) 900 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6A(铊) 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 10伏 Rds On(最大值)@ Id、Vgs 2.3 欧姆 @ 3A,10V Vgs(th)(最大值)@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 40 纳克 电压 (最大值) ±30V...
- $3.91 USD
$0.00 USD- $3.91 USD
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描述: Nodemcu V3 Lua WiFi模块集成ESP8266+附加内存32M FLASH、USB串口ch340g WiFi 现代 ESP8266 + 32MB,该模块基于 expressif 的广泛探索 ESP8266 系统芯片。WiFi 现代 ESP8266 + 32MB,与 nodemcu 板兼容。我们增加了 32MB 的额外内存大小。这对于大型库项目来说更好。您不必担心内存的大小。板上有 usb-ttl 串行转换器 ch340g、迷你 USB 插座。DC 4 ~ 9v PowerIn 引脚 VIN。间距 2.54mm (0.1") 15 x 2 线引脚组。请勿焊接。使用 Lua 编程语言将 WiFi 接入点和功能站...
- $2.78 USD
$0.00 USD- $2.78 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压 (Vdss) 500 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5A(热电偶) 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 10伏 Rds On(最大值)@ Id、Vgs 1.4 欧姆 @ 2.5A,10V Vgs(th)(最大值)@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 24 纳克 电压 (最大值) ±30V...
- $2.48 USD
$0.00 USD- $2.48 USD
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产品描述K150是一款低成本高性能PIC编程器,支持目前大多数流行的PIC芯片的编程、读出、加密,采用高速USB通讯,编程速度快,编程质量稳定可靠。(速度平均为PICSTART+的3-5倍)全自动编程校验;配备40pin DIP编程座,可直接编程8pin-40pin DIP芯片;8pin-40脚以外的芯片可通过板载ICSP接口在线下载软件;软件兼容Windows98、Windows2000/NT、Windows XP/windows7操作系统;新型设备随PIC不断升级。主控芯片保留DIP封装配座!支持PIC单片机型号: 10 系列: PIC10F200 * PIC10F202 * PIC10F204 * PIC10F206 * PIC10F220 * PIC10F222 * 12C 系列: PIC12C508 PIC12C508A PIC12C509 PIC12C509A PIC12C671 PIC12C672 PIC12CE518 PIC12CE519 PIC12CE673 PIC12CE674 12F 系列: PIC12F509 PIC12F629 PIC12F635 PIC12F675 PIC12F683 16C 系列: PIC16C505 PIC16C554 PIC16C558 PIC16C61 PIC16C62...
- $10.90 USD
$0.00 USD- $10.90 USD
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