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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 500 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 18A（塔） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 270 毫欧 @ 9A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4伏@1毫安 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 45 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss)...
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包装清单 10件 晶体管类型 PNP——达林顿 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 二 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 100 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 2.5V@8mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值） 2毫安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 1000 @ 1A，4V 功率 - 最大 2 瓦 频率 - 过渡 - 工作温度 150°C（高温） 安装类型...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 500 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 13A（塔） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 6.5A、10V 时为 400 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4伏@1毫安 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 38 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss)...
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包装清单 10件 晶体管类型 NPN——达林顿 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 二 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 100 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 2.5V@8mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值） 2毫安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 1000 @ 1A，4V 功率 - 最大 2 瓦 频率 - 过渡 - 工作温度 150°C（高温） 安装类型...
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包装清单 10件 晶体管类型 NPN——达林顿 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 二 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 60 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 2.5V@8mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值） 2毫安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 1000 @ 1A，4V 功率 - 最大 2 瓦 频率 - 过渡 - 工作温度 150°C（高温） 安装类型...
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包装清单 10件 晶体管类型 PNP——达林顿 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 八 一 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 100 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 2.5V@80mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值） 50微安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 1000 @ 3A，4V 功率 - 最大 2 瓦 频率 - 过渡 - 工作温度 150°C（高温）...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 650 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 1.43 欧姆 @ 2.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4伏@1毫安 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 16 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss)...
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