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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 900 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 2.1欧姆@1A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 100µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 5.3 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 核心处理器 PIC 核心尺寸 8 位 速度 32兆赫 连接 I2C、LINbus、SPI、UART/USART 外设 欠压检测/复位、POR、PWM、WDT 输入/输出数量 6 程序存储器大小 3.5KB（2K x 14） 程序存储器类型 闪光 EEPROM 大小 256 x 8 RAM 大小 128 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 1.8V～5.5V 数据转换器 A/D 4x10b；D/A 1x5b 振荡器类型 内部的 工作温度 -40℃～85℃（环境温度）...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 13A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 550 毫欧 @ 4.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 100µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 92 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 5件 核心处理器 MSP430 CPU16 核心尺寸 16 位 速度 8兆赫 连接 SPI、UART/USART 外设 上电复位，PWM，看门狗定时器 输入/输出数量 四十八 程序存储器大小 60KB（60K x 8 + 256B） 程序存储器类型 闪光 EEPROM 大小 - RAM 大小 2K x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 1.8V～3.6V 数据转换器 模数转换器 8x12b 振荡器类型 内部的 工作温度 -40℃～85℃（环境温度）...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 900 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5.8A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 2欧姆@2.9A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 100µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 60.5 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 60A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 16毫欧姆@30A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 73 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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