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包装清单 5件 核心处理器 自动电压调节器 核心尺寸 8 位 速度 20兆赫 连接 美国国际 外设 欠压检测/复位、POR、PWM、WDT 输入/输出数量 6 程序存储器大小 8KB（4K x 16） 程序存储器类型 闪光 EEPROM 大小 512 x 8 RAM 大小 512 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 2.7V～5.5V 数据转换器 模数转换器 4x10b 振荡器类型 内部的 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 650 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 12A（热电偶） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 6A、10V 时为 720 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 48 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 5件 核心处理器 自动电压调节器 核心尺寸 8 位 速度 20兆赫 连接 美国国际 外设 欠压检测/复位、POR、PWM、WDT 输入/输出数量 6 程序存储器大小 8KB（4K x 16） 程序存储器类型 闪光 EEPROM 大小 512 x 8 RAM 大小 512 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 2.7V～5.5V 数据转换器 模数转换器 4x10b 振荡器类型 内部的 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型...
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包装清单 10件 输出配置 消极的 输出类型 固定的 调节器数量 1 电压 - 输入（最大） -35 伏 电压 - 输出（最小/固定） -24 伏 电压 - 输出（最大） - 电压降（最大） 1.1V @ 1A（典型值） 电流 - 输出 1.5A 静态电流 (Iq) 3 毫安 电源抑制比 60分贝（120赫兹） 控制功能 - 保护功能 过热、短路 工作温度 0℃～125℃ 安装类型 通孔...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 800 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 17A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 290 毫欧 @ 11A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3.9V@1mA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 177 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss)...
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包装清单 10件 输出配置 消极的 输出类型 固定的 调节器数量 1 电压 - 输入（最大） -35 伏 电压 - 输出（最小/固定） -18 伏 电压 - 输出（最大） - 电压降（最大） 1.1V @ 1A（典型值） 电流 - 输出 1.5A 静态电流 (Iq) 3 毫安 电源抑制比 60分贝（120赫兹） 控制功能 - 保护功能 过热、短路 工作温度 0℃～125℃ 安装类型 通孔...
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包装清单 5件 核心处理器 8051 核心尺寸 8 位 速度 50兆赫 连接 SMBus（2 线/I2C）、SPI、UART/USART 外设 欠压检测/复位、POR、PWM、温度传感器、WDT 输入/输出数量 24 程序存储器大小 32KB（32K x 8） 程序存储器类型 闪光 EEPROM 大小 - RAM 大小 2.25K x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 2V～5.25V 数据转换器 A/D 24x12b；D/A 2x12b 振荡器类型 内部的 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型...
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包装清单 5件 核心处理器 自动电压调节器 核心尺寸 8 位 速度 8兆赫 连接 I2C、SPI、UART/USART 外设 欠压检测/复位、POR、PWM、WDT 输入/输出数量 23 程序存储器大小 8KB（4K x 16） 程序存储器类型 闪光 EEPROM 大小 512 x 8 RAM 大小 1K x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 2.7V～5.5V 数据转换器 模数转换器 8x10b 振荡器类型 内部的 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型...
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包装清单 10件 输出配置 消极的 输出类型 固定的 调节器数量 1 电压 - 输入（最大） -35 伏 电压 - 输出（最小/固定） -15 伏 电压 - 输出（最大） - 电压降（最大） 1.1V @ 1A（典型值） 电流 - 输出 1.5A 静态电流 (Iq) 3 毫安 电源抑制比 60分贝（120赫兹） 控制功能 - 保护功能 过热、短路 工作温度 0℃～125℃ 安装类型 通孔...
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包装清单 5件 IGBT类型 沟 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 600 伏 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 二十 一 Vce(on)（最大值）@Vge，Ic 2.5V @ 15V，10A 功率 - 最大 30 瓦 转换能源 100µJ（开启），130µJ（关闭） 输入类型 标准 栅极电荷 13 纳克 Td（开/关）@25°C 30纳秒/42纳秒 测试条件 300V，10A，5欧姆，15V 反向恢复时间 (trr) 70纳秒 工作温度 150°C（高温） 安装类型 通孔 封装/箱体 TO-220-3...
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