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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 300 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8.5A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 290 毫欧 @ 4.25A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 40 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 500 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 11A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 5.5A、10V 时为 550 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 55 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 5件 晶体管类型 NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 五 一 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 550 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 1.5V @ 1A，3A 电流 - 集电极截止（最大值） 100微安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 9 @ 2A，5V 功率 - 最大 100 瓦 频率 - 过渡 -...
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包装清单 5件 核心处理器 自动电压调节器 核心尺寸 8 位 速度 16兆赫 连接 I2C、SPI、UART/USART 外设 欠压检测/复位、POR、PWM、WDT 输入/输出数量 三十二 程序存储器大小 32KB（16K x 16） 程序存储器类型 闪光 EEPROM 大小 1K x 8 RAM 大小 2K x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 2.7V～5.5V 数据转换器 模数转换器 8x10b 振荡器类型 内部的 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型...
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包装清单 5件 功能 升压 输出配置 积极的 拓扑 促进 输出类型 可调节的 输出数量 1 电压 - 输入（最小值） 2.7伏 电压 - 输入（最大） 12伏 电压 - 输出（最小/固定） 4.5伏 电压 - 输出（最大） 12.6伏 电流 - 输出 10A 频率 - 切换 200kHz 至 2.2MHz 同步整流器 是的 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 200 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 9.5A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 360 毫欧 @ 4.75A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 26 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 5件 核心处理器 自动电压调节器 核心尺寸 8 位 速度 20兆赫 连接 I2C、SPI、UART/USART 外设 欠压检测/复位、POR、PWM、WDT 输入/输出数量 23 程序存储器大小 32KB（16K x 16） 程序存储器类型 闪光 EEPROM 大小 1K x 8 RAM 大小 2K x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 1.8V～5.5V 数据转换器 模数转换器 8x10b 振荡器类型 内部的 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型...
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包装清单 5件 类型 AB 类 输出类型 1 通道（单声道） 最大输出功率 x 通道数 @ 负载 - 电压 - 电源 2.2V～5.5V 特征 差分输入、麦克风、关机、待机 安装类型 表面贴装 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 供应商器件封装 24-QFN（4x4） 封装/箱体 24-VFQFN 裸露焊盘
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包装清单 10件 双向可控硅类型 标准 电压 - 关闭状态 600 伏 电流 - 导通状态 (It (RMS)) (最大值) 二十五 一 电压 - 门极触发 (Vgt)（最大值） 1.3 伏 电流 - 非重复浪涌 50, 60Hz (Itsm) 250A, 260A 电流 - 门极触发 (Igt)（最大值） 50 毫安 电流 - 保持 (Ih)（最大值） 80 毫安 配置...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 250 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 25A（钽） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 12A、10V 时为 75 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V@1mA 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2000 pF @ 25 V 场效应晶体管特性 -...
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包装清单 10件 双向可控硅类型 标准 电压 - 关闭状态 600 伏 电流 - 导通状态 (It (RMS)) (最大值) 十六 电压 - 门极触发 (Vgt)（最大值） 1.3 伏 电流 - 非重复浪涌 50, 60Hz (Itsm) 160A、168A 电流 - 门极触发 (Igt)（最大值） 50 毫安 电流 - 保持 (Ih)（最大值） 50 毫安 配置 单身的 工作温度...
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包装清单 2个 核心处理器 自动电压调节器 核心尺寸 8 位 速度 20兆赫 连接 I2C、SPI、UART/USART 外设 欠压检测/复位、POR、PWM、WDT 输入/输出数量 23 程序存储器大小 4KB（2K x 16） 程序存储器类型 闪光 EEPROM 大小 256 x 8 RAM 大小 512 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 2.7V～5.5V 数据转换器 模数转换器 8x10b 振荡器类型 内部的 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型...
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包装清单 5件 功能 升压、升压/降压 输出配置 正负（双轨） 拓扑 升压、降压-升压 输出类型 可调节的 输出数量 2 电压 - 输入（最小值） 2.7伏 电压 - 输入（最大） 5.5伏 电压 - 输出（最小/固定） 3.2伏、-2伏 电压 - 输出（最大） 15伏, -15伏 电流 - 输出 1.8A（开关） 频率 - 切换 1.38兆赫 同步整流器 不 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 20.6A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 190 毫欧 @ 10A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 82 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 10件 双向可控硅类型 Alternistor - 无缓冲器 电压 - 关闭状态 800 伏 电流 - 导通状态 (It (RMS)) (最大值) 10 一 电压 - 门极触发 (Vgt)（最大值） 1.3 伏 电流 - 非重复浪涌 50, 60Hz (Itsm) 100A、105A 电流 - 门极触发 (Igt)（最大值） 50 毫安 电流 - 保持 (Ih)（最大值） 50 毫安...
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包装清单 5件 核心处理器 自动电压调节器 核心尺寸 8 位 速度 16兆赫 连接 EBI/EMI、I2C、SPI、UART/USART 外设 欠压检测/复位、POR、PWM、WDT 输入/输出数量 86 程序存储器大小 256KB（128K x 16） 程序存储器类型 闪光 EEPROM 大小 4K x 8 RAM 大小 8K x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 4.5V ～ 5.5V 数据转换器 模数转换器 16x10b 振荡器类型 内部的 工作温度...
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包装清单 5件 协议 USB 功能 集线器控制器 界面 USB 标准 - 电压 - 电源 3V～3.6V 供电 70毫安 工作温度 0℃～85℃ 封装/箱体 36-VFQFN 裸露焊盘 供应商器件封装 36-QFN（6x6）
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