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包装清单 5件 驱动配置 半桥 通道类型 独立的 司机人数 2 闸门类型 IGBT、N 沟道 MOSFET 电压 - 电源 10V ～ 20V 逻辑电压 - VIL、VIH 0.8V、2.7V 电流 - 峰值输出（源、吸收） 1.9A、2.3A 输入类型 非反相 高压侧电压 - 最大值（自举） 600 伏 上升/下降时间（典型值） 40纳秒，20纳秒 工作温度 -40℃～150℃（高温） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装...
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包装清单 10件 类型 跳码编码器 应用 远程安全访问，无钥匙进入 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC
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包装清单 5件 内存类型 非挥发性 内存格式 铁电存储器 技术 FRAM（铁电RAM） 内存大小 16K位 记忆组织 2K x 8 内存接口 串行外设接口 时钟频率 20兆赫 写入周期时间 - 字、页 - 电压 - 电源 2.7V~3.6V 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC
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包装清单 5件 内存类型 非挥发性 内存格式 铁电存储器 技术 FRAM（铁电RAM） 内存大小 64千位 记忆组织 8K x 8 内存接口 I2C 时钟频率 1兆赫 写入周期时间 - 字、页 - 访问时间 550 纳秒 电压 - 电源 2.7V~3.65V 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC
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包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 2 个 N 沟道（双） 场效应晶体管特性 逻辑电平门 漏源电压 (Vdss) 30伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 7.5A Rds On（最大值）@ Id、Vgs 18毫欧姆@7.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5V 时为 17nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1235pF@15V 功率...
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CBB61风扇电容450V 体积：长*宽*高(mm) 1UF 37*11*22 1.2UF 37*11*22 1.5UF 37*13.5*24 1.8UF 37*13.5*24 2.0UF 38*16*25 2.5UF 38*16*25 3.0UF 38*18*28 3.5UF 38*20*31 4.0UF 38*20*31 4.5UF 38*23*32 4.75UF 38*23*32 5.0UF 38*23*32 6.0UF 47*20*33 7.0UF 48*23*32 8.0UF 48*25*35 10UF 48*27*39 12UF 48*27*39 15UF 50*30*44 16UF 50*30*44 18UF 50*30*44 20UF 50*30*44...
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包装清单 10件 内存类型 非挥发性 内存格式 电可擦除只读存储器 技术 电可擦除只读存储器 内存大小 64千位 记忆组织 8K x 8 内存接口 I2C 时钟频率 1兆赫 写入周期时间 - 字、页 5毫秒 访问时间 550 纳秒 电压 - 电源 1.7V～5.5V 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8.5A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 24 毫欧 @ 8.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 1.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时为 12 纳克 电压 (最大值) ±12V...
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包装清单 10件 内存类型 非挥发性 内存格式 电可擦除只读存储器 技术 电可擦除只读存储器 内存大小 4千位 记忆组织 512 x 8 内存接口 微线 时钟频率 2兆赫 写入周期时间 - 字、页 6毫秒 电压 - 电源 2.5V ～ 5.5V 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC
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包装清单 10件 输出类型 晶体管驱动器 功能 升压、升压/降压 输出配置 阳性，隔离能力 拓扑 升压、反激 输出数量 1 输出阶段 1 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 10V ～ 36V 频率 - 切换 高达 500kHz 工作周期（最大） 48％ 同步整流器 不 时钟同步 不 串行接口 - 控制功能 频率控制 工作温度 0℃～70℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽）...
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包装清单 10件 功能 降压 输出配置 积极的 拓扑 巴克 输出类型 可调节的 输出数量 1 电压 - 输入（最小值） 4.5伏 电压 - 输入（最大） 42伏 电压 - 输出（最小/固定） 0.8伏 电压 - 输出（最大） 41.1伏 电流 - 输出 3.5A 频率 - 切换 100kHz ～ 2.5MHz 同步整流器 不 工作温度 -40℃～150℃（高温） 安装类型 表面贴装...
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3mm红外发射器：10个3mm 红外接收器：10 个 5mm红外发射器：10个5mm 红外接收器：10 个4 价值 40 件
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包装清单 5件 内存类型 非挥发性 内存格式 闪光 技术 闪光 内存大小 1兆位 记忆组织 128K x 8 内存接口 串行外设接口 时钟频率 104兆赫 写入周期时间 - 字、页 800微秒 电压 - 电源 2.3V～3.6V 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC
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