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包装清单 5件 放大器类型 零点漂移 电路数量 2 输出类型 轨对轨 转换速率 1.6伏/微秒 增益带宽积 2兆赫 电流 - 输入偏置 70 帕 电压 - 输入失调 1 微伏 供电 285µA（x2 通道） 电流 - 输出/通道 50 毫安 电压 - 电源跨度（最小值） 2.7 伏 电压 - 电源跨度（最大） 5.5 伏 工作温度 -40℃～125℃ 安装类型 表面贴装...
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包装清单 10件 放大器类型 一般用途 电路数量 2 输出类型 - 转换速率 0.8伏/微秒 增益带宽积 1兆赫 电流 - 输入偏置 4纳安 电压 - 输入失调 20 微伏 供电 790µA（x2 通道） 电流 - 输出/通道 35 毫安 电压 - 电源跨度（最小值） 4 伏 电压 - 电源跨度（最大） 三十六 五 工作温度 -40℃～85℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体...
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包装清单 5件 放大器类型 电压反馈 电路数量 1 输出类型 - 转换速率 1800伏/微秒 增益带宽积 300兆赫 -3db带宽 500兆赫 电流 - 输入偏置 3 微安 电压 - 输入失调 1 毫伏 供电 5.5毫安 电流 - 输出/通道 190 毫安 电压 - 电源跨度（最小值） 5 伏 电压 - 电源跨度（最大） 12 伏 工作温度 -40℃～85℃ 安装类型...
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包装清单 5件 放大器类型 一般用途 电路数量 1 输出类型 - 转换速率 13伏/微秒 增益带宽积 2.5兆赫 电流 - 输入偏置 1.4 帕 电压 - 输入失调 200微伏 供电 3.2毫安 电压 - 电源跨度（最小值） 10 伏 电压 - 电源跨度（最大） 100 伏 工作温度 -40℃～85℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-PowerSOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） 供应商器件封装 8-SO 电源板
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包装清单 10件 应用 监控，数字电流 界面 - 电压 - 电源 - 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC 安装类型 表面贴装
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包装清单 10件 驱动配置 半桥 通道类型 独立的 司机人数 2 闸门类型 IGBT、N 沟道 MOSFET 电压 - 电源 10V ～ 20V 逻辑电压 - VIL、VIH 0.8V、2.5V 电流 - 峰值输出（源、汇） 290毫安，600毫安 输入类型 反相、非反相 高压侧电压 - 最大值（自举） 600 伏 上升/下降时间（典型值） 70纳秒，35纳秒 工作温度 -40℃～150℃（高温） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装...
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包装清单 10件 放大器类型 声音的 电路数量 2 输出类型 - 转换速率 5伏/微秒 增益带宽积 15兆赫 电流 - 输入偏置 100纳安 电压 - 输入失调 300微伏 供电 6毫安 电流 - 输出/通道 50 毫安 电压 - 电源跨度（最小值） 4 伏 电压 - 电源跨度（最大） 三十六 五 工作温度 -40℃～85℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90...
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包装清单 10件 放大器类型 一般用途 电路数量 2 输出类型 - 转换速率 9伏/微秒 增益带宽积 10兆赫 电流 - 输入偏置 200纳安 电压 - 输入失调 500微伏 供电 8mA（x2 通道） 电流 - 输出/通道 38 毫安 电压 - 电源跨度（最小值） 10 伏 电压 - 电源跨度（最大） 30 伏 工作温度 0℃～70℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 18A（塔） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 4.8毫欧姆@18A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.35V @ 50µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时为 26 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 10件 类型 555 型定时器/振荡器（单） 数数 - 频率 500千赫 电压 - 电源 4.5V～16V 供电 10 毫安 工作温度 0℃～70℃ 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC 安装类型 表面贴装
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 二十八 五 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 11A（塔） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 10毫欧@11安，10伏 Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时为 26 纳克 电压 (最大值) ±12V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 2 个 P 通道（双） 场效应晶体管特性 逻辑电平门 漏源电压 (Vdss) 55伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3.4A Rds On（最大值）@ Id、Vgs 105毫欧姆@3.4A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10V 时为 38nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 690pF @...
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