全部
Filter
2691 results
20
- 10
- 15
- 20
- 25
- 30
- 50
日期,从新到旧
- 特色
- 畅销
- 按字母顺序排序,A-Z
- 按字母顺序排序,Z-A
- 价格,从低到高
- 价格,从高到低
- 日期,从旧到新
- 日期,从新到旧
Sort
Sort by:
- 特色
- 畅销
- 按字母顺序排序,A-Z
- 按字母顺序排序,Z-A
- 价格,从低到高
- 价格,从高到低
- 日期,从旧到新
- 日期,从新到旧
-
-
包装清单 10件 模式 不连续(过渡) 频率 - 切换 1兆赫 当前 - 初创 40 微安 电压 - 电源 10.3V~22V 工作温度 -25℃~125℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC(0.154 英寸,3.90 毫米宽) 供应商器件封装 8-SOIC
- $3.71 USD
$0.00 USD- $3.71 USD
- Unit price
- / per
-
包装清单 10件 放大器类型 仪器仪表 电路数量 1 输出类型 轨对轨 转换速率 0.06伏/微秒 -3db带宽 80 千赫 电流 - 输入偏置 2纳安 电压 - 输入失调 50 微伏 供电 60微安 电流 - 输出/通道 25 毫安 电压 - 电源跨度(最小值) 2.2 伏 电压 - 电源跨度(最大) 三十六 五 工作温度 -40℃~85℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体...
- $67.90 USD
$0.00 USD- $67.90 USD
- Unit price
- / per
-
-
-
包装清单 10件 类型 时钟/日历 特征 闹钟、闰年、SRAM 内存大小 2B 时间格式 HH:MM:SS(12/24 小时) 日期格式 年-月-日-日 界面 I2C,2 线串行 电压 - 电源 2.7V~5.5V 电压 - 电源,电池 1.8V~5.5V 电流 - 计时(最大) 3V 至 5V 时 4µA 至 6µA 工作温度 -40℃~85℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC(0.154 英寸,3.90 毫米宽) 供应商器件封装 8-SOIC...
- $5.77 USD
$0.00 USD- $5.77 USD
- Unit price
- / per
-
- $3.83 USD
$0.00 USD- $3.83 USD
- Unit price
- / per
-
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 20A(Ta) 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 4.5伏、10伏 Rds On(最大值)@ Id、Vgs 4毫欧@20A,10V Vgs(th)(最大值)@Id 2.32V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时 51 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $2.73 USD
$0.00 USD- $2.73 USD
- Unit price
- / per
-
包装清单 10件 内存类型 非挥发性 内存格式 电可擦除只读存储器 技术 电可擦除只读存储器 内存大小 512千位 记忆组织 64K x 8 内存接口 串行外设接口 时钟频率 20兆赫 写入周期时间 - 字、页 5毫秒 电压 - 电源 1.8V~5.5V 工作温度 -40℃~85℃(环境温度) 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC(0.154 英寸,3.90 毫米宽) 供应商器件封装 8-SOIC
- $23.49 USD
$0.00 USD- $23.49 USD
- Unit price
- / per
-
-
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 18A(塔) 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 4.5伏 Rds On(最大值)@ Id、Vgs 6.5毫欧姆@15A,4.5V Vgs(th)(最大值)@Id 1V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 V 时 60 纳克 电压 (最大值) ±12V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $3.17 USD
$0.00 USD- $3.17 USD
- Unit price
- / per
-
-
包装清单 10件 技术 MOSFET(金属氧化物) 配置 2 个 N 通道(双) 场效应晶体管特性 逻辑电平门 漏源电压 (Vdss) 20伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3.5A Rds On(最大值)@ Id、Vgs 100毫欧@1.8A,10V Vgs(th)(最大值)@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10V 时为 15nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 320pF @...
- $1.94 USD
$0.00 USD- $1.94 USD
- Unit price
- / per
-
-
包装清单 10件 驱动配置 低侧 司机人数 2 电压 - 电源 6V~20V 输入类型 反相、非反相 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC(0.154 英寸,3.90 毫米宽) 供应商器件封装 8-SOIC
- $5.77 USD
$0.00 USD- $5.77 USD
- Unit price
- / per
-
-
包装清单 10件 驱动配置 半桥 通道类型 同步 司机人数 2 闸门类型 N 沟道 MOSFET 电压 - 电源 10V~15.6V 逻辑电压 - VIL、VIH - 电流 - 峰值输出(源、吸收) - 输入类型 RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值(自举) 600 伏 上升/下降时间(典型值) 80纳秒,45纳秒 工作温度 -40℃~125℃(温度范围) 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC(0.154 英寸,3.90 毫米宽) 供应商器件封装 8-SOIC...
- $5.21 USD
$0.00 USD- $5.21 USD
- Unit price
- / per
-
包装清单 10件 内存类型 非挥发性 内存格式 闪光 技术 闪光 内存大小 4兆位 记忆组织 512K x 8 内存接口 串行外设接口 时钟频率 104兆赫 写入周期时间 - 字、页 3毫秒 电压 - 电源 2.7V~3.6V 工作温度 -40℃~85℃(环境温度) 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC(0.154 英寸,3.90 毫米宽) 供应商器件封装 8-SOIC
- $3.46 USD
$0.00 USD- $3.46 USD
- Unit price
- / per


