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包装清单 10件 应用 PWM 控制器 电压 - 输入 -0.3V ~ 6.3V 电压 - 电源 7.6V～30V 供电 11 毫安 工作温度 0℃～70℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC
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包装清单 10件 输出类型 晶体管驱动器 功能 升压、升压/降压 输出配置 阳性，隔离能力 拓扑 升压、反激 输出数量 1 输出阶段 1 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 10V ～ 36V 频率 - 切换 高达 500kHz 工作周期（最大） 48％ 同步整流器 不 时钟同步 不 串行接口 - 控制功能 频率控制 工作温度 -25℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽）...
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包装清单 10件 内存类型 非挥发性 内存格式 电可擦除只读存储器 技术 电可擦除只读存储器 内存大小 64千位 记忆组织 8K x 8 内存接口 I2C 时钟频率 800千赫 写入周期时间 - 字、页 5毫秒 访问时间 700 纳秒 电压 - 电源 1.8V～5.5V 工作温度 -40℃～85℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-标准操作程序
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包装清单 10件 输出类型 晶体管驱动器 功能 升压、升压/降压 输出配置 阳性，隔离能力 拓扑 升压、反激 输出数量 1 输出阶段 1 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 7.6V～30V 频率 - 切换 高达 500kHz 工作周期（最大） 96％ 同步整流器 不 时钟同步 不 串行接口 - 控制功能 频率控制 工作温度 -25℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC...
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包装清单 10件 内存类型 非挥发性 内存格式 铁电存储器 技术 FRAM（铁电RAM） 内存大小 256千位 记忆组织 32K x 8 内存接口 串行外设接口 时钟频率 20兆赫 写入周期时间 - 字、页 - 电压 - 电源 2.7V～5.5V 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC
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包装清单 10件 输出类型 晶体管驱动器 功能 升压、升压/降压 输出配置 阳性，隔离能力 拓扑 升压、反激 输出数量 1 输出阶段 1 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 10V ～ 30V 频率 - 切换 高达 500kHz 工作周期（最大） 96％ 同步整流器 不 时钟同步 不 串行接口 - 控制功能 频率控制 工作温度 -25℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽）...
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包装清单 5件 内存类型 非挥发性 内存格式 铁电存储器 技术 FRAM（铁电RAM） 内存大小 64千位 记忆组织 8K x 8 内存接口 串行外设接口 时钟频率 20兆赫 写入周期时间 - 字、页 - 电压 - 电源 2.7V~3.65V 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC
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包装清单 5件 功能 降压 输出配置 积极的 拓扑 巴克 输出类型 可调节的 输出数量 1 电压 - 输入（最小值） 5.5伏 电压 - 输入（最大） 36伏 电压 - 输出（最小/固定） 1.221伏 电压 - 输出（最大） 31.32 伏 电流 - 输出 5A 频率 - 切换 500千赫 同步整流器 不 工作温度 -40℃～125℃（温度范围） 安装类型 表面贴装 封装/箱体...
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包装清单 10件 内存类型 非挥发性 内存格式 铁电存储器 技术 FRAM（铁电RAM） 内存大小 16K位 记忆组织 2K x 8 内存接口 串行外设接口 时钟频率 20兆赫 写入周期时间 - 字、页 - 电压 - 电源 4.5V ～ 5.5V 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC
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包装清单 10件 功能 降压 输出配置 积极的 拓扑 巴克 输出类型 可调节的 输出数量 1 电压 - 输入（最小值） 5.5伏 电压 - 输入（最大） 36伏 电压 - 输出（最小/固定） 1.221伏 电压 - 输出（最大） 31.32 伏 电流 - 输出 1A 频率 - 切换 500千赫 同步整流器 不 工作温度 -40℃～125℃（温度范围） 安装类型 表面贴装 封装/箱体...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5.3A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 5.3A、10V 时为 50 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 14 纳克 电压 (最大值) ±25V...
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