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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4.1A(Ta) 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 4.5伏、10伏 Rds On(最大值)@ Id、Vgs 42毫欧@5.7A,10V Vgs(th)(最大值)@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 24 纳克 电压 (最大值) ±20V 场效应晶体管特性 - 功率耗散(最大)...
- $1.30 USD
$0.00 USD- $1.30 USD
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包装清单 10件 放大器类型 场效应晶体管 电路数量 2 输出类型 轨对轨 转换速率 25伏/微秒 -3db带宽 16兆赫 电流 - 输入偏置 5 帕 电压 - 输入失调 700 微伏 供电 7毫安 电流 - 输出/通道 17 毫安 电压 - 电源跨度(最小值) 3 伏 电压 - 电源跨度(最大) 三十六 五 工作温度 -40℃~85℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体...
- $17.42 USD
$0.00 USD- $17.42 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25 ° C 6.5A(电流值) 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 4.5伏、10伏 Rds On(最大值)@ Id、Vgs 18.5毫欧@9A,10V Vgs(th)(最大值)@Id 1.8V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 V 时为 13 纳克 电压 (最大值) ±25V 场效应晶体管特性...
- $2.90 USD
$0.00 USD- $2.90 USD
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包装清单 10件 应用 电流反馈 输出类型 - 电路数量 1 -3db带宽 140兆赫 转换速率 2500伏/微秒 供电 16.5 毫安 电流 - 输出/通道 100 毫安 电压 - 电源,单/双 (±) ±4.5V~18V 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC(0.154 英寸,3.90 毫米宽) 供应商器件封装 8-SOIC
- $20.79 USD
$0.00 USD- $20.79 USD
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- $3.66 USD
$0.00 USD- $3.66 USD
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包装清单 10件 放大器类型 仪器仪表 电路数量 1 输出类型 - 转换速率 1.2伏/微秒 -3db带宽 1兆赫 电流 - 输入偏置 500 帕 电压 - 输入失调 30 微伏 供电 900微安 电流 - 输出/通道 18 毫安 电压 - 电源跨度(最小值) 4.6 伏 电压 - 电源跨度(最大) 三十六 五 工作温度 -40℃~85℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体...
- $27.88 USD
$0.00 USD- $27.88 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8A(铊) 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 4.5伏、10伏 Rds On(最大值)@ Id、Vgs 36毫欧姆@4.6A,10V Vgs(th)(最大值)@Id 2.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 32 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $4.60 USD
$0.00 USD- $4.60 USD
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包装清单 10件 放大器类型 可变增益 电路数量 1 输出类型 - 转换速率 275伏/微秒 -3db带宽 90兆赫 电流 - 输入偏置 200纳安 供电 12.5毫安 电流 - 输出/通道 50 毫安 电压 - 电源跨度(最小值) 9.5 伏 电压 - 电源跨度(最大) 12.6 伏 工作温度 -40℃~85℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC(0.154 英寸,3.90 毫米宽) 供应商器件封装 8-SOIC
- $21.30 USD
$0.00 USD- $21.30 USD
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包装清单 10件 用于测量 交流/直流 传感器类型 霍尔效应,开环 电流感应 5A 通道数 1 输出 比率测量,电压 灵敏度 185毫伏/安 频率 直流~80kHz 线性 ±1.5% 准确性 ±1.5% 电压 - 电源 5伏 响应时间 5微秒 电流 - 电源(最大) 13毫安 工作温度 -40℃~85℃ 极化 双向 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC(0.154 英寸,3.90 毫米宽) 供应商器件封装 8-SOIC
- $18.77 USD
$0.00 USD- $18.77 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 15A(Ta) 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 4.5伏、10伏 Rds On(最大值)@ Id、Vgs 6.5毫欧姆@23A,10V Vgs(th)(最大值)@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 55 纳克 @ 4.5 V 电压 (最大值) ±20V 场效应晶体管特性 - 功率耗散(最大)...
- $3.71 USD
$0.00 USD- $3.71 USD
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- $4.60 USD
$0.00 USD- $4.60 USD
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