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包装清单 20件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 98毫欧@3A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 14 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 20件 输出配置 积极的 输出类型 固定的 调节器数量 1 电压 - 输入（最大） 6伏 电压 - 输出（最小/固定） 1.2伏 电压 - 输出（最大） - 电压降（最大） 0.96V@60mA 电流 - 输出 60毫安 电流 - 静态 (Iq) 3 微安 电源抑制比 - 控制功能 - 保护功能 过电流 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3...
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包装清单 20件 引用类型 分流器 输出类型 可调节的 电压 - 输出（最小/固定） 1.24伏 电压 - 输出（最大） 十八 伏 电流 - 输出 100 毫安 宽容 ±1% 温度系数 - 噪音 - 0.1Hz 至 10Hz - 噪音 - 10Hz 至 10kHz - 电压 - 输入 - 供电 - 电流 -...
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包装清单 20件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 50毫欧@4A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 1.3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 14 纳克 电压 (最大值) ±12V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 50件 晶体管类型 NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 600 毫安 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 40 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 1V@50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值） 10nA（电流导通电阻） 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 100 @ 150 毫安，10 伏 功率 - 最大 225 毫瓦 频率 - 过渡 300兆赫...
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2.6A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 115毫欧@2.6A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 1.4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 7.2 纳克 电压 (最大值) ±12V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 50 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 130 毫安（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 8欧姆@150mA，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 V 时为 1.3 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss)...
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2.5A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 3.2A、10V 时为 78 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 15 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 20 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4.2A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5伏、4.5伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 40毫欧@4.2A，4.5V 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时为 10.6 纳克 电压 (最大值) ±12V 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 15 V...
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2.3A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 1.9A、10V 时为 156 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 6.8 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3.16A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 65毫欧姆@2.5A，4.5V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 V 时为 4.5 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 50件 晶体管类型 NPN 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 15伏 频率 - 过渡 800兆赫 噪声系数 (dB 典型值 @ f) - 获得 - 功率 - 最大 200毫瓦 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 1 毫安，5 伏时 70 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 50毫安 工作温度 -55℃～150℃（高温） 安装类型 表面贴装 封装/箱体...
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包装清单 50件 二极管配置 1 对共阴极 技术 标准 电压 - 直流反向 (Vr)（最大值） 100 伏 电流 - 平均整流电流 (Io) （每个二极管） 200 毫安（直流） 电压 - 正向 (Vf) (最大值) @ If 1.25 伏 @ 150 毫安 速度 小信号 =< 200mA (Io)，任意速度 反向恢复时间 (trr) 6纳秒 电流 - 反向漏电流@Vr 70V...
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包装清单 50件 晶体管类型 NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 500 毫安 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 80 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 250mV@10mA、100mA 电流 - 集电极截止（最大值） 100纳安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 100 @ 100mA，1V 功率 - 最大 225 毫瓦 频率 - 过渡 100兆赫 工作温度 -55℃～150℃（高温）...
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包装清单 50件 晶体管类型 NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 500 毫安 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 45 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 50 毫安时 700 毫伏，500 毫安 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（电流导通电阻） 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 250 @ 100 毫安，1 伏 功率 - 最大 300 毫瓦...
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包装清单 50件 晶体管类型 PNP-预偏置 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 100 毫安 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 50 伏 电阻器-基极（R1） 4.7千欧姆 电阻器 - 发射极基极（R2） 47千欧 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 100 @ 10 毫安，5 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值） 1微安 功率...
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包装清单 50件 输出配置 积极的 输出类型 固定的 调节器数量 1 电压 - 输入（最大） 6伏 电压 - 输出（最小/固定） 3伏 电压 - 输出（最大） - 电压降（最大） 0.68V@100mA 电流 - 输出 200毫安 静态电流 (Iq) 3 微安 电源抑制比 - 控制功能 - 保护功能 过电流 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 供应商器件封装 SOT-23...
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包装清单 50件 晶体管类型 NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 100 毫安 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 45 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 400mV@5mA、100mA 电流 - 集电极截止（最大值） 1微安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 200 @ 2 毫安，5 伏 功率 - 最大 200 毫瓦 频率 - 过渡 100兆赫...
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 50 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 200 毫安（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 5伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 3.5欧姆@200mA，5V Vgs(th)（最大值）@Id 1.5V@1mA 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 50 pF @ 25 V 场效应晶体管特性 - 功率耗散（最大） 225毫瓦（功耗）...
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 1.7A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 190 毫欧 @ 1.7A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时 4 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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