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包装清单 10件 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 600 伏 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 十四 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 二十 一 Vce(on)（最大值）@Vge，Ic 1.8V @ 15V，5A 功率 - 最大 31.2 瓦 转换能源 140µJ（开启），40µJ（关闭） 输入类型 标准 栅极电荷 9.4纳克 Td（开/关）@25°C 12纳秒/83纳秒 测试条件 400V，5A，60欧姆，15V 反向恢复时间 (trr) 98纳秒 工作温度 -55℃～150℃（温度范围） 安装类型 通孔...
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包装清单 10件 二极管配置 1 对共阴极 技术 肖特基 电压 - 直流反向 (Vr)（最大值） 45 伏 电流 - 平均整流电流 (Io) （每个二极管） 10A 电压 - 正向 (Vf) (最大值) @ If 10A 时 570 毫伏 速度 快速恢复 =< 500ns, > 200mA (Io) 电流 - 反向漏电流@Vr 45 V 时 100...
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包装清单 10件 输出配置 消极的 输出类型 固定的 调节器数量 1 电压 - 输入（最大） -35 伏 电压 - 输出（最小/固定） -24 伏 电压 - 输出（最大） - 电压降（最大） 2V@1A（典型值） 电流 - 输出 1A 电流 - 静态 (Iq) 6 毫安 电源抑制比 60分贝（120赫兹） 控制功能 - 保护功能 过热、短路 工作温度 0℃～125℃ 安装类型 通孔...
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包装清单 10件 内存类型 非挥发性 内存格式 闪光 技术 闪存 - NAND（SLC） 内存大小 128兆位 记忆组织 16 米 x 8 内存接口 平行线 电压 - 电源 2.7V~3.6V 工作温度 0℃～70℃ 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 48-TSOP
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 500 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 14A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 380 毫欧 @ 6A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 100µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 92 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 47A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 22 毫欧 @ 25A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 V 时 48 纳克 电压 (最大值) ±16V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 800 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4.3A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 2.4 欧姆 @ 2.15A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 100µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 45.5 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 30A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id，Vgs 35毫欧@16A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 V 时 25 纳克 电压 (最大值) ±16V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 18A（热电偶） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 60 毫欧 @ 11A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 V 时为 15 纳克 电压 (最大值) ±16V...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 25A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 12.5A、10V 时为 130 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 100 纳克 @ 10 伏 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 200 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 18A（热电偶） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 5伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 180 毫欧 @ 9A，5V Vgs(th)（最大值）@Id 2V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 56 纳克（5 伏） 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss)...
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