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包装清单 10件 晶体管类型 即插即用 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 3 一 电压 - 集电极发射极击穿电压(最大值) 100 伏 Vce 饱和度(最大值)@ Ib, Ic 1.2V @ 600mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值) 300微安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 25 @ 1A,4V 功率 - 最大 40 瓦 频率 - 过渡 3兆赫...
- $4.08 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压 (Vdss) 650 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6A(Ta) 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 10伏 Rds On(最大值)@ Id、Vgs 1.11 欧姆 @ 3A,10V Vgs(th)(最大值)@Id 4伏@1毫安 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 20 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6.2A(电流值) 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 10伏 Rds On(最大值)@ Id、Vgs 3.1A、10V 时为 750 毫欧 Vgs(th)(最大值)@Id 3.7V @ 310µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 12 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6A(Ta) 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 10伏 Rds On(最大值)@ Id、Vgs 1.25 欧姆 @ 3A,10V Vgs(th)(最大值)@Id 4伏@1毫安 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 16 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压 (Vdss) 500 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5A(Ta) 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 10伏 Rds On(最大值)@ Id、Vgs 1.5欧姆@2.5A,10V Vgs(th)(最大值)@Id 4.4V@1mA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 11 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds...
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包装清单 10件 晶体管类型 即插即用 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 七 一 电压 - 集电极发射极击穿电压(最大值) 70 伏 Vce 饱和度(最大值)@ Ib, Ic 3.5V @ 3A,7A 电流 - 集电极截止(最大值) 1毫安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 30 @ 2A,4V 功率 - 最大 40 瓦 频率 - 过渡 10兆赫...
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包装清单 10件 晶体管类型 即插即用 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 3 一 电压 - 集电极发射极击穿电压(最大值) 100 伏 Vce 饱和度(最大值)@ Ib, Ic 1.2V @ 375mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值) 300微安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 10 @ 3A,4V 功率 - 最大 2 瓦 频率 - 过渡 3兆赫...
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包装清单 10件 晶体管类型 NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 3 一 电压 - 集电极发射极击穿电压(最大值) 100 伏 Vce 饱和度(最大值)@ Ib, Ic 1.2V @ 375mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值) 300微安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 10 @ 3A,4V 功率 - 最大 2 瓦 频率 - 过渡 3兆赫...
- $2.22 USD
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