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将本产品接入台灯或电器的电路中，（即断开台灯、电器等任意一根火线或零线，接上本“产品”两根电线）旋转电位器旋杆，可起到调节明暗、调速、调压、调温的作用；使用十分方便。 本产品适用：采用新型双向大功率可控硅，由于电流可达25安培，解决了电炉丝在冷却情况下因电阻太小引起的过流问题；可以很方便的调节电源输出电压，在90-220伏之间任意调节，供电使用。如：电炉、热水器、灯具、小电机调速，电烙铁温度调节。从而达到调光、调温、调压的效果。电源功率在2000瓦以下的大型电器，对于一般家用电器或者小型工厂来说已经足够大了。（感性或容性负载的功率要减小，调压器配双向大功率可控硅，电位器配螺母，不用加任何元件就可以使用，非常方便实用）。
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包装清单 5件 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 600 伏 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 40 一 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 160 一 Vce(on)（最大值）@Vge，Ic 2.6V @ 15V，20A 功率 - 最大 160 瓦 转换能源 160µJ（开启），200µJ（关闭） 输入类型 标准 栅极电荷 97 纳克 Td（开/关）@25°C 15纳秒/65纳秒 测试条件 300V，20A，10欧姆，15V 工作温度 -55℃～150℃（高温） 安装类型 通孔 封装/箱体...
- $4.04 USD
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- $7.05 USD
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R5为增益调整电阻，阻值可取4.7k-100k（贴片电阻旁边预留了插件焊盘，如果没有贴片电阻或者焊接技术不好，也可以使用插件电阻。），阻值越大，增益越高。基本参数：工作电压：DC 3v-6v板子尺寸：16mm*15mm默认增益：40db（也可以根据需要调整增益，只需改变R5的阻值即可）
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 30A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 26 毫欧 @ 15A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 110 纳克 电压 (最大值) ±25V...
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描述： TSL2561 光度传感器分线器是一款精密的光传感器，在大部分可见光谱范围内具有平坦响应。与简单的传感器不同，TSL2561 可测量红外光和可见光，以更好地模拟人眼的响应。由于 TSL2561 是一款积分传感器（它会在预定的时间内吸收光线），因此它能够通过改变积分时间来测量少量和大量的光线。 TSL2561 能够直接进行 I2C 通信，并且能够轻松传导 0.1 - 40k+ 勒克斯的特定光照范围。此外，TSL12561 包含两个积分模数转换器 (ADC)，可同时积分两个光电二极管的电流。每个分线需要 3V 的电源电压和最大 0.6mA 的低电源电流。
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 250 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 15.6A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 270 毫欧 @ 7.8A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 53.5 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 500 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 13A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 6.5A、10V 时为 480 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 56 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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8个模拟输入端口：A0～A7 14 个数字输入/输出端口：TX、RX、D2～D13 6 个 PWM 端口：D3、D5、D6、D9、D10、D11 1对TTL电平串行收发端口RX/TX使用 Atmel Atmega328P-AU MCU其中安装了引导加载程序 支持USB下载和供电支持外接5V~12V直流电源支持9V电池供电支持ISP下载
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 12A（热电偶） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 650 毫欧 @ 6A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 63 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 9.5A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 4.75A、10V 时为 730 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 57 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 900 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 2.3 欧姆 @ 3A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 40 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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描述： Nodemcu V3 Lua WiFi模块集成ESP8266+附加内存32M FLASH、USB串口ch340g WiFi 现代 ESP8266 + 32MB，该模块基于 expressif 的广泛探索 ESP8266 系统芯片。WiFi 现代 ESP8266 + 32MB，与 nodemcu 板兼容。我们增加了 32MB 的额外内存大小。这对于大型库项目来说更好。您不必担心内存的大小。板上有 usb-ttl 串行转换器 ch340g、迷你 USB 插座。DC 4 ~ 9v PowerIn 引脚 VIN。间距 2.54mm (0.1") 15 x 2 线引脚组。请勿焊接。使用 Lua 编程语言将 WiFi 接入点和功能站...
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