分立半导体产品 > 晶体管 > FET、MOSFET
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 500 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 4.8A、10V 时为 850 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 63 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 500 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4.5A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 1.5欧姆@2.7A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 38 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 400 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 10A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 550 毫欧 @ 6A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 63 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 400 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5.5A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 1欧姆@3.3A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 38 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 200 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 18A（热电偶） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 11A、10V 时为 150 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 67 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 12A（热电偶） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 175毫欧姆@7.2A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 19 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 800 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5.5A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 2.5欧姆@2.75A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 30 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 900 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 4.2 欧姆 @ 2A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 22 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 75 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 10A（Ta）、100A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 10.5毫欧姆@30A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 136 纳克 电压 (最大值) ±25V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 10.5A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 5伏、20伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 14毫欧@11A，20V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 24 纳克 电压 (最大值) ±25V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 2 个 N 通道（双） 场效应晶体管特性 - 漏源电压 (Vdss) 30伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6.5A Rds On（最大值）@ Id、Vgs 29毫欧姆@5.8A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10V 时为 33nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 650pF @...
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包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 N 和 P 沟道 场效应晶体管特性 逻辑电平门 漏源电压 (Vdss) 20伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5.2A、4.3A Rds On（最大值）@ Id，Vgs 50毫欧@2.6A，4.5V Vgs(th)（最大值）@Id 700 毫伏 @ 250 微安 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5V 时为 20nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 20 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5.4A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.7V、4.5V Rds On（最大值）@ Id、Vgs 60 毫欧 @ 5.4A，4.5V Vgs(th)（最大值）@Id 700mV @ 250µA（最小值） 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时为 22 纳克 电压 (最大值) ±12V...
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包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 2 个 P 通道（双） 场效应晶体管特性 逻辑电平门 漏源电压 (Vdss) 60伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2.9A Rds On（最大值）@ Id、Vgs 105毫欧姆@2.9A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10V 时为 23nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1020pF@30V 功率...
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包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 2 个 N 通道（双） 场效应晶体管特性 逻辑电平门 漏源电压 (Vdss) 60伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3.5A Rds On（最大值）@ Id、Vgs 100 毫欧 @ 3.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5V 时为 13nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @...
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包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 N 和 P 沟道 场效应晶体管特性 逻辑电平门 漏源电压 (Vdss) 30伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6.4A、4.5A Rds On（最大值）@ Id、Vgs 26 毫欧 @ 6.4A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10V 时为 12nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @...
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包装清单 件 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 13A（塔） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 9毫欧@13A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 100 纳克 @ 10 伏 电压 (最大值) ±25V 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 15...
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$0.00 USD- $1.85 USD
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包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 2 个 N 通道（双） 场效应晶体管特性 逻辑电平门 漏源电压 (Vdss) 60伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C - Rds On（最大值）@ Id、Vgs 56毫欧姆@4.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10V 时为 10.5nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 540pF @...
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包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 2 个 N 通道（双） 场效应晶体管特性 逻辑电平门 漏源电压 (Vdss) 30伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8A Rds On（最大值）@ Id、Vgs 19毫欧@8A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10V 时为 18nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 888pF @...
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包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 2 个 N 通道（双） 场效应晶体管特性 - 漏源电压 (Vdss) 30伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8A Rds On（最大值）@ Id、Vgs 19毫欧@8A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10V 时为 18nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 888pF @...
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