分立半导体产品 > 晶体管 > FET、MOSFET
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 16.5A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 6.8毫欧姆@16.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 77 纳克 电压 (最大值) ±12V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $2.05 USD
$0.00 USD- $2.05 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 12 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 11A（塔） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 1.8V、4.5V Rds On（最大值）@ Id、Vgs 16毫欧@11A，4.5V Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时 47 纳克 电压 (最大值) ±8V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $2.61 USD
$0.00 USD- $2.61 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6A（Ta） Rds On（最大值）@ Id、Vgs 50毫欧@6A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 11 纳克 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 520 pF @...
- $2.78 USD
$0.00 USD- $2.78 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8.5A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 24 毫欧 @ 8.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 1.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时为 12 纳克 电压 (最大值) ±12V...
- $1.50 USD
$0.00 USD- $1.50 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4.1A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 42毫欧@5.7A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 24 纳克 电压 (最大值) ±20V 场效应晶体管特性 - 功率耗散（最大）...
- $1.30 USD
$0.00 USD- $1.30 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25 ° C 6.5A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 18.5毫欧@9A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 1.8V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 V 时为 13 纳克 电压 (最大值) ±25V 场效应晶体管特性...
- $2.90 USD
$0.00 USD- $2.90 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 36毫欧姆@4.6A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 32 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $4.60 USD
$0.00 USD- $4.60 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 15A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 6.5毫欧姆@23A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 55 纳克 @ 4.5 V 电压 (最大值) ±20V 场效应晶体管特性 - 功率耗散（最大）...
- $3.71 USD
$0.00 USD- $3.71 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 900 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2.1A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 4.25 欧姆 @ 1.05A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 26 纳克 电压 (最大值) ±30V...
- $4.75 USD
$0.00 USD- $4.75 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 10A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 450 毫欧 @ 5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 30 纳克 电压 (最大值) ±25V...
- $6.19 USD
$0.00 USD- $6.19 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 100 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 20A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 52毫欧@11A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 94 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $5.94 USD
$0.00 USD- $5.94 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 18A（塔） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 4.8毫欧姆@18A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.35V @ 50µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时为 26 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $4.00 USD
$0.00 USD- $4.00 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 二十八 五 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 11A（塔） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 10毫欧@11安，10伏 Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时为 26 纳克 电压 (最大值) ±12V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $3.66 USD
$0.00 USD- $3.66 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 2 个 P 通道（双） 场效应晶体管特性 逻辑电平门 漏源电压 (Vdss) 55伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3.4A Rds On（最大值）@ Id、Vgs 105毫欧姆@3.4A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10V 时为 38nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 690pF @...
- $4.47 USD
$0.00 USD- $4.47 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 2 个 N 通道（双） 场效应晶体管特性 逻辑电平门 漏源电压 (Vdss) 55伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5.1A Rds On（最大值）@ Id、Vgs 5.1A、10V 时为 50 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA（最小值） 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10V 时为 44nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @...
- $2.36 USD
$0.00 USD- $2.36 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 2 个 N 通道（双） 场效应晶体管特性 - 漏源电压 (Vdss) 30伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4.9A Rds On（最大值）@ Id、Vgs 50毫欧@2.4A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10V 时为 25nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 520pF @...
- $3.79 USD
$0.00 USD- $3.79 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 40 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 10.5A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 15毫欧@10.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 110 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $4.67 USD
$0.00 USD- $4.67 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 100 毫欧 @ 4A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 20 纳克 电压 (最大值) ±20V...
- $2.70 USD
$0.00 USD- $2.70 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 9A（塔） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 17 毫欧 @ 9A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 V 时 30 纳克 电压 (最大值) ±20V...
- $2.05 USD
$0.00 USD- $2.05 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 100 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 37 毫欧 @ 6A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.7V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 44 纳克 电压 (最大值) ±20V...
- $3.66 USD
$0.00 USD- $3.66 USD
- Unit price
- per
