分立半导体产品 > 晶体管 > FET、MOSFET
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 80 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8.5A（Ta），53A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 7伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 15.5毫欧姆@20A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4.2V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 34 纳克 电压 (最大值) ±25V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $1.13 USD
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 15.5A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 5伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 150 毫欧 @ 7.5A，5V Vgs(th)（最大值）@Id 2V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 V 时为 26 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 15A（Ta），66A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 8毫欧@15A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 V 时 22 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 100 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6.6A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 480 毫欧 @ 3.9A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 27 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 40 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 40A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 15毫欧姆@20A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 55 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 42A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 27 毫欧 @ 25A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 V 时 48 纳克 电压 (最大值) ±16V...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 1.9A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 4.7欧姆@950mA，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 12 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 44A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 27 毫欧 @ 26 安，10 伏 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 65 纳克 电压...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 25 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 7.8A（Ta），45A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、11.5伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 12毫欧@30A，11.5V Vgs(th)（最大值）@Id 2V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 11.5 V 时为 15 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 40 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 13A（Ta），50A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 7毫欧姆@20A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.6V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 33 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $1.10 USD
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 2欧姆@2安，10伏 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 20 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $1.35 USD
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 31A（锝） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 65毫欧@16A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 63 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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$0.00 USD- $5.12 USD
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 200 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5A（热电偶） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 600 毫欧 @ 2.9A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 23 纳克 电压 (最大值) ±20V...
- $1.26 USD
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 20A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 10A、10V 时为 46 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 30 纳克 电压 (最大值) ±20V...
- $1.29 USD
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 25 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 18A（Ta），46A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 5.5毫欧姆@30A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 40 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $1.01 USD
$0.00 USD- $1.01 USD
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 42A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 13.5毫欧姆@36A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 V 时 35 纳克 电压 (最大值) ±16V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $1.18 USD
$0.00 USD- $1.18 USD
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 55A（热电偶） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 19毫欧@33A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 50 纳克 @ 4.5 伏 电压 (最大值) ±16V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $1.04 USD
$0.00 USD- $1.04 USD
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 56A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 47A、10V 时为 8.4 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 100µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 69 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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$0.00 USD- $1.31 USD
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 100 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 17A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 105毫欧@10A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 V 时 34 纳克 电压 (最大值) ±16V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $1.37 USD
$0.00 USD- $1.37 USD
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 50A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 15毫欧@17A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 165 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $1.14 USD
$0.00 USD- $1.14 USD
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