分立半导体产品 > 晶体管 > FET、MOSFET
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 20 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6.5A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 1.8V、4.5V Rds On（最大值）@ Id、Vgs 6.5A、4.5V 时为 22 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时为 16 纳克 电压 (最大值) ±8V...
- $1.45 USD
$0.00 USD- $1.45 USD
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包装清单 20件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 1.2A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 250 毫欧 @ 1.8A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 3.2 纳克 电压 (最大值) ±20V...
- $1.69 USD
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包装清单 20件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 1.1A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 230 毫欧 @ 3A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 4.3 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 20 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 1.5伏、4.5伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 43毫欧@4A，4.5V Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时为 17.2 纳克 电压 (最大值) ±8V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $1.70 USD
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包装清单 20件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 20 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5伏、4.5伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 70毫欧@2A，4.5V Vgs(th)（最大值）@Id 1.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时为 10 纳克 电压 (最大值) ±8V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $1.54 USD
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4.1A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 52毫欧姆@4.1A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 11 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $1.74 USD
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 50毫欧@4A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 1.3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 14 纳克 电压 (最大值) ±12V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $1.53 USD
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5.8A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 28 毫欧 @ 5.8A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 1.45V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时 7 纳克 电压 (最大值) ±12V...
- $1.40 USD
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 31毫欧@5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 6.3 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $1.45 USD
$0.00 USD- $1.45 USD
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包装清单 20件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 20 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 1.7A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5伏、4.5伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 1.7A、4.5V 时为 70 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 1.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5V 时为 3.5 纳克 电压 (最大值) ±8V 输入电容...
- $1.54 USD
$0.00 USD- $1.54 USD
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 20 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3.7A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5伏、4.5伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 65毫欧姆@3.7A，4.5V Vgs(th)（最大值）@Id 1.2V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 V 时为 12 纳克 电压 (最大值) ±12V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 75A（热电偶） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 7.5毫欧姆@25A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2伏@1毫安 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 V 时 92 纳克 电压 (最大值) ±15V 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds...
- $9.54 USD
$0.00 USD- $9.54 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 800 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 1.55 欧姆 @ 4A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 45 纳克 电压 (最大值) ±30V...
- $6.27 USD
$0.00 USD- $6.27 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 650 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 3.26 欧姆 @ 1A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4.4V@1mA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 9 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss)...
- $4.50 USD
$0.00 USD- $4.50 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 650 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 10A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 1欧姆@5安，10伏 Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 33 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $7.12 USD
$0.00 USD- $7.12 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 2.2 欧姆 @ 2A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 18 纳克 电压 (最大值) ±30V...
- $4.16 USD
$0.00 USD- $4.16 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 550 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 2.5A、10V 时为 800 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 13 纳克 电压 (最大值) ±30V...
- $5.94 USD
$0.00 USD- $5.94 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 500 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 12A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 620 毫欧 @ 6A，10V Vgs(th)（最大值）@Id - 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 29 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss)...
- $6.78 USD
$0.00 USD- $6.78 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 500 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 18A（塔） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 270 毫欧 @ 9A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4伏@1毫安 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 45 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss)...
- $6.61 USD
$0.00 USD- $6.61 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 500 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 13A（塔） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 6.5A、10V 时为 400 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4伏@1毫安 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 38 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss)...
- $6.36 USD
$0.00 USD- $6.36 USD
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