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包装清单 20件 功能 比例 输出配置 正面或负面 拓扑 电荷泵 输出类型 固定的 输出数量 1 电压 - 输入(最小值) 1.5伏 电压 - 输入(最大) 10伏 电压 - 输出(最小/固定) -Vin,2Vin 电压 - 输出(最大) - 电流 - 输出 20毫安 频率 - 切换 10kHz 同步整流器 不 工作温度 0℃~70℃(环境温度) 安装类型 通孔 封装/箱体 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米)...
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包装清单 10件 技术 MOSFET(金属氧化物) 配置 2 个 N 通道(双) 场效应晶体管特性 逻辑电平门 漏源电压 (Vdss) 60伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C - Rds On(最大值)@ Id、Vgs 56毫欧姆@4.5A,10V Vgs(th)(最大值)@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10V 时为 10.5nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 540pF @...
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包装清单 10件 放大器类型 声音的 电路数量 2 输出类型 - 转换速率 7伏/微秒 增益带宽积 15兆赫 电流 - 输入偏置 500纳安 电压 - 输入失调 300微伏 供电 5mA(x2 通道) 电流 - 输出/通道 40 毫安 电压 - 电源跨度(最小值) 10 伏 电压 - 电源跨度(最大) 30 伏 工作温度 -40℃~85℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC(0.154...
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包装清单 10件 放大器类型 声音的 电路数量 2 输出类型 - 转换速率 7伏/微秒 增益带宽积 15兆赫 电流 - 输入偏置 300纳安 电压 - 输入失调 300微伏 供电 4毫安 电流 - 输出/通道 37 毫安 电压 - 电源跨度(最小值) 5 伏 电压 - 电源跨度(最大) 30 伏 工作温度 -40℃~105℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC(0.154 英寸,3.90...
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包装清单 10件 技术 MOSFET(金属氧化物) 配置 2 个 N 通道(双) 场效应晶体管特性 逻辑电平门 漏源电压 (Vdss) 30伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8A Rds On(最大值)@ Id、Vgs 19毫欧@8A,10V Vgs(th)(最大值)@Id 2.4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10V 时为 18nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 888pF @...
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包装清单 20件 驱动配置 低侧 通道类型 独立的 司机人数 2 闸门类型 N 沟道、P 沟道 MOSFET 电压 - 电源 4.5V~18V 逻辑电压 - VIL、VIH 0.8V、2.4V 电流 - 峰值输出(源、汇) 1.5安,1.5安 输入类型 反相、非反相 上升/下降时间(典型值) 25纳秒,25纳秒 工作温度 0℃~70℃(环境温度) 安装类型 通孔 封装/箱体 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 供应商器件封装 8-邻苯二甲酸二异丙酯
- $25.75 USD
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包装清单 10件 技术 MOSFET(金属氧化物) 配置 2 个 N 通道(双) 场效应晶体管特性 - 漏源电压 (Vdss) 30伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8A Rds On(最大值)@ Id、Vgs 19毫欧@8A,10V Vgs(th)(最大值)@Id 2.4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10V 时为 18nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 888pF @...
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包装清单 20件 驱动配置 低侧 通道类型 独立的 司机人数 2 闸门类型 N 沟道、P 沟道 MOSFET 电压 - 电源 4.5V~18V 逻辑电压 - VIL、VIH 0.8V、2.4V 电流 - 峰值输出(源、吸收) 1.5安,1.5安 输入类型 非反相 上升/下降时间(典型值) 19纳秒,19纳秒 工作温度 0℃~70℃(环境温度) 安装类型 通孔 封装/箱体 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 供应商器件封装 8-邻苯二甲酸二异丙酯
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包装清单 10件 类型 一般用途 元素数量 2 输出类型 开集电极,轨到轨 电压 - 电源,单/双 (±) 2V~36V,±1V~18V 电压 - 输入偏移(最大值) 7毫伏@5伏 电流 - 输入偏置(最大值) 5V 时为 0.25µA 电流 - 输出(典型值) 16毫安@5伏 电流 - 静态(最大) 1毫安 CMRR、PSRR(典型值) - 传播延迟(最大) - 滞后 - 工作温度 0℃~70℃ 封装/箱体 8-TSSOP、8-MSOP(0.118 英寸,3.00 毫米宽) 安装类型...
- $3.49 USD
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包装清单 10件 技术 MOSFET(金属氧化物) 配置 2 个 P 通道(双) 场效应晶体管特性 逻辑电平门 漏源电压 (Vdss) 30伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5A Rds On(最大值)@ Id、Vgs 46毫欧@5A,10V Vgs(th)(最大值)@Id 2.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10V 时为 11nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 520pF@15V 功率...
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包装清单 10件 类型 放大器、比较器 应用 传感器放大器 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC(0.154 英寸,3.90 毫米宽) 供应商器件封装 8-SOIC
- $4.08 USD
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