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包装清单 20件 驱动配置 低侧 通道类型 独立的 司机人数 2 闸门类型 N 沟道、P 沟道 MOSFET 电压 - 电源 4.5V～18V 逻辑电压 - VIL、VIH 0.8V、2.4V 电流 - 峰值输出（源、吸收） 1.5安，1.5安 输入类型 非反相 上升/下降时间（典型值） 25纳秒，25纳秒 工作温度 0℃～70℃（环境温度） 安装类型 通孔 封装/箱体 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 供应商器件封装 8-邻苯二甲酸二异丙酯
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包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 2 个 P 通道（双） 场效应晶体管特性 - 漏源电压 (Vdss) 30伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5A（Ta） Rds On（最大值）@ Id、Vgs 48毫欧@5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 1.3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5V 时 7nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 645pF @...
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包装清单 10件 类型 AB 类 输出类型 1 通道（单声道） 最大输出功率 x 通道数 @ 负载 325mW x 1 @ 8欧姆 电压 - 电源 4V ～ 12V 特征 - 安装类型 表面贴装 工作温度 0℃～70℃（环境温度） 供应商器件封装 8-SOIC 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽）
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包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 2 个 N 通道（双） 场效应晶体管特性 - 漏源电压 (Vdss) 30伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6.9A Rds On（最大值）@ Id、Vgs 27 毫欧 @ 6.9A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 1.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5V 时 7nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @...
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包装清单 10件 放大器类型 一般用途 电路数量 2 输出类型 - 转换速率 - 增益带宽积 1兆赫 电流 - 输入偏置 45纳安 电压 - 输入失调 2毫伏 供电 800µA（x2 通道） 电流 - 输出/通道 40 毫安 电压 - 电源跨度（最小值） 3 伏 电压 - 电源跨度（最大） 三十二 伏 工作温度 -25℃～85℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154...
- $2.16 USD
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包装清单 20件 驱动配置 低侧 通道类型 独立的 司机人数 2 闸门类型 N 沟道、P 沟道 MOSFET 电压 - 电源 4.5V～18V 逻辑电压 - VIL、VIH 0.8V、2.4V 电流 - 峰值输出（源、吸收） 1.5安，1.5安 输入类型 反相 上升/下降时间（典型值） 19纳秒，19纳秒 工作温度 0℃～70℃（环境温度） 安装类型 通孔 封装/箱体 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 供应商器件封装 8-邻苯二甲酸二异丙酯
- $26.16 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6.5A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 6.5A、10V 时为 46 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 16 纳克 电压 (最大值) ±20V...
- $1.33 USD
$3.25 USD- $1.33 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 9.7A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 20 毫欧 @ 9.7A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.7V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 32 纳克 电压 (最大值) ±20V...
- $1.60 USD
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包装清单 20件 驱动配置 低侧 通道类型 独立的 司机人数 2 闸门类型 N 沟道、P 沟道 MOSFET 电压 - 电源 4.5V～18V 逻辑电压 - VIL、VIH 0.8V、2.4V 电流 - 峰值输出（源、吸收） 3A，3A 输入类型 非反相 上升/下降时间（典型值） 23纳秒，25纳秒 工作温度 0℃～150℃（高温） 安装类型 通孔 封装/箱体 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 供应商器件封装 8-邻苯二甲酸二异丙酯
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包装清单 10件 输出配置 积极的 输出类型 固定的 调节器数量 1 电压 - 输入（最大） 35伏 电压 - 输出（最小/固定） 15伏 电压 - 输出（最大） - 电压降（最大） - 电流 - 输出 100毫安 电流 - 静态 (Iq) 3 毫安 电源抑制比 51分贝（120赫兹） 控制功能 - 保护功能 过热、短路 工作温度 0℃～125℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154...
- $2.70 USD
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包装清单 20件 驱动配置 低侧 通道类型 单身的 司机人数 1 闸门类型 IGBT、N 沟道、P 沟道 MOSFET 电压 - 电源 4.5V～18V 逻辑电压 - VIL、VIH 0.8V、2.4V 电流 - 峰值输出（源、吸收） 9A、9A 输入类型 非反相 上升/下降时间（典型值） 60纳秒，60纳秒 工作温度 0℃～150℃（高温） 安装类型 通孔 封装/箱体 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 供应商器件封装 8-邻苯二甲酸二异丙酯
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包装清单 5件 传感器类型 模拟，本地 感测温度 - 本地 0℃～100℃ 感应温度 - 远程 - 输出类型 模拟电压 电压 - 电源 4V～30V 解决 10毫伏/℃ 特征 - 准确度 - 最高（最低） ±1.5℃ 测试条件 25 摄氏度 工作温度 0℃～100℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC
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