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包装清单 10件 内存类型 非挥发性 内存格式 电可擦除只读存储器 技术 电可擦除只读存储器 内存大小 32千位 记忆组织 4K x 8 内存接口 I2C 时钟频率 1兆赫 写入周期时间 - 字、页 5毫秒 访问时间 450 纳秒 电压 - 电源 1.7V～3.6V 工作温度 -40℃～85℃（温控） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC
- $1.33 USD
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包装清单 10件 类型 简单复位/上电复位 监测电压数量 1 电压 - 阈值 4.55伏 输出 漏极开路或集电极开路 重置 高电平有效/低电平有效 重置超时 最大传输延迟 1µs 工作温度 0℃～70℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC
- $3.94 USD
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包装清单 10件 类型 收发器 协议 CAN总线 驱动器/接收器数量 1/1 双面打印 一半 接收器迟滞 120 毫伏 数据速率 5Mbps 电压 - 电源 4.5V ～ 5.5V 工作温度 -40℃～150℃ 年级 汽车 资格 车用电子元件质量认证 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-硫酸盐
- $31.25 USD
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包装清单 10件 内存类型 非挥发性 内存格式 电可擦除只读存储器 技术 电可擦除只读存储器 内存大小 4千位 记忆组织 512 x 8 内存接口 I2C 时钟频率 400千赫 写入周期时间 - 字、页 5毫秒 访问时间 900 纳秒 电压 - 电源 2.7V～5.5V 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC
- $1.14 USD
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- From $19.58 USD
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包装清单 10件 输出隔离 孤立 内部开关 不 击穿电压 - 拓扑 飞回来 电压 - 启动 14.9 伏 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 9.9V～30V 占空比 - 频率 - 切换 25kHz ～ 132.5kHz 功率（瓦） 75 瓦 故障保护 过功率、过温、过压 控制功能 - 工作温度 -40℃～150℃（高温） 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-硫酸盐 安装类型...
- $26.53 USD
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包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 2 个 P 通道（双） 场效应晶体管特性 逻辑电平门 漏源电压 (Vdss) 30伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 9A Rds On（最大值）@ Id、Vgs 19毫欧@8A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.8V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10V 时为 39nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2600pF @...
- $1.41 USD
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包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 N 和 P 沟道 场效应晶体管特性 逻辑电平门 漏源电压 (Vdss) 60伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C - Rds On（最大值）@ Id、Vgs 25毫欧@6.3A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10V 时 58nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2300pF @...
- $2.44 USD
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- From $23.83 USD
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包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 N 和 P 沟道互补 场效应晶体管特性 - 漏源电压 (Vdss) 30伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6A（电流值），6.5A（电流值） Rds On（最大值）@ Id、Vgs 6A、10V 时为 30 毫欧，6.5A、10V 时为 28 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 2.4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10V 时为 6nC，10V 时为...
- $1.26 USD
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