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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 13A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 6.5A、10V 时为 258 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 39.5 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 10件 二极管配置 1 对共阴极 技术 肖特基 电压 - 直流反向 (Vr)（最大值） 100 伏 电流 - 平均整流 (Io) （每个二极管） 15A 电压 - 正向 (Vf) (最大值) @ If 15A 时 800 毫伏 速度 快速恢复 =< 500ns, > 200mA (Io) 电流 - 反向漏电流@Vr 100V 时 5µA 工作温度...
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包装清单 5件 功能 降压 输出配置 积极的 拓扑 巴克 输出类型 固定的 输出数量 1 电压 - 输入（最小值） 4.5伏 电压 - 输入（最大） 42伏 电压 - 输出（最小/固定） 5伏 电压 - 输出（最大） - 电流 - 输出 1A 频率 - 切换 500千赫 同步整流器 不 工作温度 -40℃～125℃（温度范围） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-PowerSOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）...
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包装清单 5件 核心处理器 PIC 核心尺寸 8 位 速度 20兆赫 连接 I2C、SPI、UART/USART 外设 欠压检测/复位、LCD、POR、PWM、WDT 输入/输出数量 53 程序存储器大小 14KB（8K x 14） 程序存储器类型 闪光 EEPROM 大小 256 x 8 RAM 大小 336 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 2V～5.5V 数据转换器 模数转换器 8x10b 振荡器类型 内部的 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型...
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包装清单 10件 二极管配置 1 对共阴极 技术 肖特基 电压 - 直流反向 (Vr)（最大值） 100 伏 电流 - 平均整流 (Io) （每个二极管） 10A 电压 - 正向 (Vf) (最大值) @ If 10A 时为 850 毫伏 速度 快速恢复 =< 500ns, > 200mA (Io) 电流 - 反向漏电流@Vr 100V 时为 3.5µA 工作温度...
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包装清单 10件 二极管配置 1 对共阴极 技术 雪崩 电压 - 直流反向 (Vr)（最大值） 200 伏 电流 - 平均整流 (Io) （每个二极管） 10A 电压 - 正向 (Vf) (最大值) @ If 1.15 伏 @ 10 安 速度 快速恢复 =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢复时间 (trr) 45纳秒 电流 - 反向漏电流@Vr...
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包装清单 5件 核心处理器 PIC 核心尺寸 8 位 速度 20兆赫 连接 I2C、SPI、UART/USART 外设 欠压检测/复位、POR、PWM、WDT 输入/输出数量 三十五 程序存储器大小 14KB（8K x 14） 程序存储器类型 闪光 EEPROM 大小 256 x 8 RAM 大小 368 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 2V～5.5V 数据转换器 模数转换器 14x10b 振荡器类型 内部的 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 80 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 110A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 6.5毫欧姆@55A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 150 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 核心处理器 PIC 核心尺寸 8 位 速度 20兆赫 连接 - 外设 上电复位，看门狗定时器 输入/输出数量 11 程序存储器大小 1.5KB（1K x 12） 程序存储器类型 闪光 EEPROM 大小 - RAM 大小 67 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 2V～5.5V 数据转换器 模数转换器 4x8b 振荡器类型 内部的 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 供应商器件封装...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 80 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 100A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 9毫欧@50A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 100 纳克 @ 10 伏 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 核心处理器 PIC 核心尺寸 8 位 速度 20兆赫 连接 - 外设 欠压检测/复位、POR、PWM、WDT 输入/输出数量 十三 程序存储器大小 3.5KB（2K x 14） 程序存储器类型 闪光 EEPROM 大小 - RAM 大小 128 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 2V～5.5V 数据转换器 模数转换器 4x8b 振荡器类型 外部的 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 通孔 供应商器件封装...
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