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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 68 五 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 98A（锝） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 9.8 毫欧 @ 40A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 75 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 5件 核心处理器 PIC 核心尺寸 8 位 速度 20兆赫 连接 - 外设 欠压检测/复位、POR、PWM、WDT 输入/输出数量 十三 程序存储器大小 3.5KB（2K x 14） 程序存储器类型 闪光 EEPROM 大小 - RAM 大小 128 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 2V～5.5V 数据转换器 模数转换器 4x8b 振荡器类型 外部的 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 供应商器件封装...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 75 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 80安培（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 11毫欧姆@40A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 160 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 电压 - 关闭状态 800 伏 电压 - 门极触发 (Vgt)（最大值） 2 伏 电流 - 门极触发 (Igt)（最大值） 45 毫安 电压 - 导通状态 (Vtm)（最大值） 1.25 伏 电流 - 导通状态 (It (AV))（最大值） 十六 电流 - 导通状态 (It (RMS)) (最大值) 二十五 一 电流 - 保持 (Ih)（最大值） 100...
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包装清单 5件 核心处理器 PIC 核心尺寸 8 位 速度 20兆赫 连接 - 外设 欠压检测/复位、POR、WDT 输入/输出数量 12 程序存储器大小 1.75KB（1K x 14） 程序存储器类型 闪光 EEPROM 大小 128 x 8 RAM 大小 64 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 2V～5.5V 数据转换器 模数转换器 8x10b 振荡器类型 内部的 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 60A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 14毫欧@30A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 75 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 650 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 10A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 5A、10V 时为 430 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 17 纳克 电压 (最大值) ±25V...
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包装清单 5件 核心处理器 8051 核心尺寸 8 位 速度 16兆赫 连接 I2C、SPI、UART/USART 外设 欠压检测/复位、I2S、POR、PWM、WDT 输入/输出数量 18 程序存储器大小 18KB（18K x 8） 程序存储器类型 闪光 EEPROM 大小 4K x 8 RAM 大小 1K x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 2.4V～5.5V 数据转换器 模数转换器 8x12b 振荡器类型 内部的 工作温度 -40℃～105℃（环境温度） 安装类型...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 50A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 18毫欧姆@27.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 60 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 核心处理器 HCS12X 核心尺寸 16 位 速度 40兆赫 连接 CAN总线、SCI、SPI 外设 LVD、POR、PWM、WDT 输入/输出数量 59 程序存储器大小 128KB（128K x 8） 程序存储器类型 闪光 EEPROM 大小 - RAM 大小 8K x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 1.72V～5.5V 数据转换器 模数转换器 8x12b 振荡器类型 外部的 工作温度 -40℃～125℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 供应商器件封装...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 26A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 13A、10V 时为 125 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 45.5 纳克 电压 (最大值) ±25V...
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