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包装清单 10件 内存类型 非挥发性 内存格式 电可擦除只读存储器 技术 电可擦除只读存储器 内存大小 1K位 记忆组织 64 x 16 内存接口 微线 时钟频率 2兆赫 写入周期时间 - 字、页 6毫秒 电压 - 电源 2.5V ～ 5.5V 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 通孔 封装/箱体 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 供应商器件封装 8-邻苯二甲酸二异丙酯
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包装清单 20件 内存类型 非挥发性 内存格式 电可擦除只读存储器 技术 电可擦除只读存储器 内存大小 256千位 记忆组织 32K x 8 内存接口 I2C 时钟频率 400千赫 写入周期时间 - 字、页 5毫秒 访问时间 900 纳秒 电压 - 电源 2.5V ～ 5.5V 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 通孔 封装/箱体 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 供应商器件封装 8-邻苯二甲酸二异丙酯
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包装清单 10件 内存类型 非挥发性 内存格式 电可擦除只读存储器 技术 电可擦除只读存储器 内存大小 64千位 记忆组织 8K x 8 内存接口 I2C 时钟频率 400千赫 写入周期时间 - 字、页 5毫秒 访问时间 900 纳秒 电压 - 电源 2.5V ～ 5.5V 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 通孔 封装/箱体 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 供应商器件封装 8-邻苯二甲酸二异丙酯
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包装清单 10件 类型 一般用途 元素数量 1 输出类型 CMOS、推挽、轨到轨、TTL 电压 - 电源，单/双 (±) 2.7V～5.5V， 1.35V ～2.75V 电压 - 输入偏移（最大值） 6.5毫伏@5.5伏 电流 - 输入偏置（最大值） 10pA @ 5.5V 电流 - 输出（典型值） - 电流 - 静态（最大） 5毫安 CMRR、PSRR（典型值） 70dB CMRR，100dB PSRR 传播延迟（最大） 10纳秒 滞后 6毫伏 工作温度 -40℃～125℃ 封装/箱体 8-SOIC（0.154...
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包装清单 10件 类型 收发器 协议 RS422，RS485 驱动器/接收器数量 1/1 双面打印 一半 接收器迟滞 70 毫伏 数据速率 250kbps 电压 - 电源 4.75V~5.25V 工作温度 0℃～70℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC
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包装清单 10件 类型 收发器 协议 RS422，RS485 驱动器/接收器数量 1/1 双面打印 一半 接收器迟滞 30 毫伏 数据速率 20Mbps 电压 - 电源 4.5V ～ 5.5V 工作温度 -40℃～85℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC
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包装清单 10件 引用类型 系列 输出类型 固定的 电压 - 输出（最小/固定） 3.3伏 电流 - 输出 30 毫安 宽容 ±0.3% 温度系数 25 ppm/℃ 噪音 - 0.1Hz 至 10Hz 峰值电流 噪音 - 10Hz 至 10kHz - 电压 - 输入 3.5V～15V 供电 45微安 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154...
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包装清单 10件 放大器类型 电流检测 电路数量 1 输出类型 - 转换速率 - 供电 50微安 电压 - 电源跨度（最小值） 3 伏 电压 - 电源跨度（最大） 三十六 五 工作温度 -40℃～85℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC
- $29.06 USD
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包装清单 5件 功能 比例 输出配置 正面或负面 拓扑 电荷泵 输出类型 固定的 输出数量 1 电压 - 输入（最小值） 1.5伏 电压 - 输入（最大） 5.5伏 电压 - 输出（最小/固定） -输入电压、2输入电压、输入电压/2 电压 - 输出（最大） - 电流 - 输出 200毫安 频率 - 切换 10kHz、75kHz 同步整流器 不 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154...
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包装清单 10件 功能 降压 输出配置 积极的 拓扑 巴克 输出类型 固定的 输出数量 1 电压 - 输入（最小值） 4.5伏 电压 - 输入（最大） 40伏 电压 - 输出（最小/固定） 12伏 电压 - 输出（最大） - 电流 - 输出 500毫安 频率 - 切换 150千赫 同步整流器 不 工作温度 -40℃～125℃（温度范围） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154...
- $23.66 USD
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包装清单 10件 零件状态 不适用于新设计 模式 不连续（过渡） 频率 - 切换 - 当前 - 初创 50 微安 电压 - 电源 11V～18V 工作温度 -25℃～125℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 13A（塔） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 11毫欧@7A，4.5V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 V 时 31 纳克 电压 (最大值) ±12V 场效应晶体管特性 - 功率耗散（最大）...
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