分立半导体产品 > 晶体管 > FET、MOSFET
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包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 2 个 N 通道（双） 场效应晶体管特性 逻辑电平门 漏源电压 (Vdss) 20伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3.5A Rds On（最大值）@ Id、Vgs 100毫欧@1.8A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10V 时为 15nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 320pF @...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5.3A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 5.3A、10V 时为 50 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 14 纳克 电压 (最大值) ±25V...
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包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 N 和 P 沟道 场效应晶体管特性 逻辑电平门 漏源电压 (Vdss) 40伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6A、5A Rds On（最大值）@ Id、Vgs 30 毫欧 @ 6A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10V 时为 10.8nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @...
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包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 N 和 P 沟道 场效应晶体管特性 逻辑电平门 漏源电压 (Vdss) 60伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4.5A、3.2A Rds On（最大值）@ Id、Vgs 56毫欧姆@4.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10V 时为 10.5nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 450pF @30V，930pF...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 40 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 16.1A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 15毫欧@10.2A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 95 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 10A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 20 毫欧 @ 5.6A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 92 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 2 个 P 通道（双） 场效应晶体管特性 逻辑电平门 漏源电压 (Vdss) 20伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 9A Rds On（最大值）@ Id、Vgs 18毫欧@9A，4.5V Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5V 时为 63nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2940pF @...
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包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 N 和 P 沟道 场效应晶体管特性 - 漏源电压 (Vdss) 30伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C - Rds On（最大值）@ Id、Vgs 29毫欧姆@5.8A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10V 时为 33nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 650pF @...
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包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 N 和 P 沟道 场效应晶体管特性 逻辑电平门 漏源电压 (Vdss) 20伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6.6安，5.3安 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 6A、4.5V 时为 29 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 700 毫伏 @ 250 微安 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5V 时为 27nC 输入电容 (Ciss)...
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包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 2 个 P 通道（双） 场效应晶体管特性 逻辑电平门 漏源电压 (Vdss) 30伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4.9A Rds On（最大值）@ Id、Vgs 58毫欧姆@4.9A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10V 时为 34nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 710pF @...
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包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 2 个 P 通道（双） 场效应晶体管特性 逻辑电平门 漏源电压 (Vdss) 20伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5.3A Rds On（最大值）@ Id、Vgs 58毫欧姆@2.9A，4.5V Vgs(th)（最大值）@Id 700 毫伏 @ 250 微安 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5V 时为 29nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 13A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 18毫欧@10A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 65 纳克 电压 (最大值) ±25V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 7A（塔） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 20 毫欧 @ 9.1A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 70 纳克 电压 (最大值) ±20V...
- $2.53 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 20A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 4.6毫欧姆@20A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.4V @ 100µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 165 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $3.79 USD
$0.00 USD- $3.79 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 25 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 25A（钽） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 2.7 毫欧 @ 25A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.35V @ 100µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时 53 纳克 电压 (最大值) ±20V...
- $4.13 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 13A（塔） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 11毫欧@7A，4.5V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 V 时 31 纳克 电压 (最大值) ±12V 场效应晶体管特性 - 功率耗散（最大）...
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$0.00 USD- $3.76 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 20 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 15A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5伏、4.5伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 15A、4.5V 时为 8.2 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 1.2V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时为 130 纳克 电压 (最大值) ±12V...
- $4.01 USD
$0.00 USD- $4.01 USD
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包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 2 个 P 通道（双） 场效应晶体管特性 逻辑电平门 漏源电压 (Vdss) 30伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8A Rds On（最大值）@ Id、Vgs 21毫欧@8A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10V 时 78nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2675pF @...
- $2.00 USD
$0.00 USD- $2.00 USD
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包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 2 个 N 沟道（双） 场效应晶体管特性 逻辑电平门 漏源电压 (Vdss) 30伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 7.5A Rds On（最大值）@ Id、Vgs 18毫欧姆@7.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5V 时为 17nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1235pF@15V 功率...
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$0.00 USD- $2.81 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 11.5A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 10 毫欧 @ 11.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3伏@1毫安 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 30 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss)...
- $4.42 USD
$0.00 USD- $4.42 USD
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